[发明专利]一种带隙基准电流电路模块

权利要求书

1.一种带隙基准电流电路模块，其特征在于：所述电路模块包括电阻R1和电阻R2，所述R1和R2串联后与N型BJT管Q3并联，且并联后一端连接至供电电压PRE-LDO1，另一端连接至N型MOS管M5的漏极，所述R1和R2所产生的分压输入至N型BJT管Q1的基极，所述Q3的集电极和基极相连后连接至PRE-LDO1、发射极连接至M5的漏极；

所述电路模块还包括电阻R3，所述R3的一端连接至PRE-LDO1，另一端连接至P型MOS管M1的源极、Q1的集电极、N型BJT管Q5的集电极，所述M1的漏极和栅极相连且漏极连接至N型MOS管M9的漏极；

所述电路模块还包括电阻R4，所述R4的一端连接至PRE-LDO1，另一端连接至P型MOS管M2的源极、N型BJT管Q2的集电极、N型BJT管Q4的集电极，所述Q1和Q2的发射极相连后连接至N型MOS管M7的漏极，所述Q5和Q4的发射极相连后通过电阻R14接地，所述M1和M2的栅极相连，所述M2的漏极和栅极通过电容C1相连且漏极连接至N型MOS管M11的漏极；

所述电路模块还包括电阻R5，所述R5的一端连接至PRE-LDO1，另一端连接至P型MOS管M3的源极，所述M3的栅极连接至M2的漏极且M3的漏极连接至N型MOS管M13的漏极；

所述电路模块还包括电阻R6，所述R6的一端连接至PRE-LDO1，另一端连接至N型MOS管M4的漏极和Q2的基极，所述M4的栅极连接至M3的漏极且M4的源极连接至外置电阻RSET的一端和信号端VSET，所述RSET的另一端接地，且所述RSET与外置电容CSET相并联；

所述电路模块还包括电阻R17、电阻R16和电阻R15，所述R17、R16和R15串联后一端连接至供电电压PRE-LDO2，另一端接地，所述R17和R16所产生的分压输入至Q5的基极，所述R16和R15所产生的分压输入至Q4的基极；

所述M5、M7、M9、M11的栅极均连接至PRE-LDO2，所述M5的源极连接至N型MOS管M6的漏极，所述M7的源极连接至N型MOS管M8的漏极，所述M9的源极连接至N型MOS管M10的漏极，所述M11的源极连接至N型MOS管M12的漏极；

所述电路模块还包括电阻R7，所述R7的一端连接至PRE-LDO2，另一端N型MOS管M114的漏极，所述M14的漏极和栅极相连，且M14的栅极还分别连接M6、M8、M10、M12、M13的栅极；所述M14通过电阻R8接地，所述M6通过电阻R9接地，所述M8通过电阻R10接地，所述M10通过电阻R11接地，所述M12通过电阻R12接地，所述M13通过电阻R13接地。

2.根据权利要求1所述的一种带隙基准电流电路模块，其特征在于：所述R3与R4的电阻值相等；所述M1与M2的宽长比相等；所述M9与M11的宽长比相等；所述M10与M12的宽长比相等。

3.根据权利要求1所述的一种带隙基准电流电路模块，其特征在于：所述电流运算放大器输入节点A与输入节点B的电压相等。

4.根据权利要求1所述的一种带隙基准电流电路模块，其特征在于：所述Q1与Q2的个数比例为1:8；所述Q4与Q5的个数比例为4:1。

5.根据权利要求4所述的一种带隙基准电流电路模块，其特征在于：所述电路模块的输出电流为：I_Ref = [V_{Q1_BE}*R1/(R1+R2) +V_Tln8]/R6；其中V_{Q1_BE}为Q1管的基极-发射级电压差，V_T为热电压，R1、R2、R6分别为电阻R1、R2、R6的阻值；输出电流由R1、R2、R6进行调节。

6.根据权利要求1所述的一种带隙基准电流电路模块，其特征在于：所述PRE-LDO1与PRE-LDO2的接入电压VIN为由前预置LDO负反馈结构提供电源纹波经过初步滤除的电压，PRE-LDO2的输出电压值为带隙基准电压生成固定电压值，PRE-LDO1的输出电压值为带隙基准电流源输出端电压和PRE-LDO2输出电压中的较高值。