[发明专利]一种抑制混叠伪影的方法及装置在审
| 申请号： | 202310073162.7 | 申请日： | 2023-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN116092516A | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 赵光赢;尚增强;王丽;黎塔 | 申请（专利权）人： | 中国科学院声学研究所 |
| 主分类号： | G10L25/03 | 分类号： | G10L25/03;G10L25/27;G10L25/18;G10L25/45;G10L25/48;G10L21/0208 |
| 代理公司： | 北京亿腾知识产权代理事务所(普通合伙) 11309 | 代理人： | 陈霁 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 混叠伪影 方法 装置 | ||
1.一种抑制混叠伪影的方法，其特征在于，包括：将输入生成器的声学特征x0过普通卷积后的特征x1，输入第一层上采样模块；
自第一层上采样模块起，对输入第i-1层上采样模块的特征xi-1执行步骤：
对特征xi-1上采样ri-1倍，得到特征
将特征过低通滤波器，得到抗混叠特征
将声学特征x0上采样倍，得到的特征过普通卷积生成高频特征ni；
将生成的高频特征ni和抗混叠特征相加后，过非线性残差模块非线性激活生成xi并输出；或者，
包括：将输入生成器的声学特征x0过普通卷积后的特征x1，输入第一层上采样模块；第一层上采样模块对特征x1上采样r1倍后，过非线性残差模块非线性激活生成特征x2，将特征x2输入第二层上采样模块；
自第二层上采样模块起，对输入第i-1层上采样模块的特征xi-1执行步骤：
对特征xi-1上采样ri-1倍，得到输出特征
将特征过低通滤波器，得到抗混叠特征
将声学特征x0上采样倍，得到的特征过普通卷积生成高频特征ni；
将生成的高频特征ni和抗混叠特征相加后，过非线性残差模块非线性激活生成xi并输出。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述低通滤波器通过凯泽窗的sinc函数实现，对于N倍上采样之后采样率是fs的特征序列，选择临界采样，并设置截止频率为fs/2N,过渡带为fs/2N。
3.一种抑制混叠伪影的装置，其特征在于，包括：第一普通卷积模块和至少两层上采样模块；其中，
第一普通卷积模块，用于将输入生成器的声学特征x0过普通卷积后的特征x1，输入第一层上采样模块；
自第一层上采样模块起，第i-1层上采样模块，用于对输入特征执行：
对输入特征xi-1上采样ri-1倍，得到特征
将特征过低通滤波器，得到抗混叠特征
将声学特征x0上采样倍，得到的特征过普通卷积生成高频特征ni；
将生成的高频特征ni和抗混叠特征相加后，过非线性残差模块非线性激活生成xi并输出；或者，
包括：第一普通卷积模块、至少两层上采样模块；其中，
第一普通卷积模块，用于将输入生成器的声学特征x0过普通卷积后的特征x1，输入第一层上采样模块；
第一层上采样模块，用于对特征x1上采样r1倍后，过非线性残差模块非线性激活生成特征x2，将特征x2输入第二层上采样模块；
自第二层上采样模块起，第i-1层上采样模块，用于对输入特征执行：
对输入特征xi-1上采样ri-1倍，得到特征
将特征过低通滤波器，得到抗混叠特征
将声学特征x0上采样倍，得到的特征过普通卷积生成高频特征ni；
将生成的高频特征ni和抗混叠特征相加后，过非线性残差模块非线性激活生成xi并输出。
4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述低通滤波器通过凯泽窗的sinc函数实现，对于N倍上采样之后采样率是fs的特征序列，选择临界采样，并设置截止频率为fs/2N,过渡带为fs/2N。
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