[发明专利]一种基于石墨烯的微环高线性度偏振无关电光调制器在审
申请号: | 202310070164.0 | 申请日: | 2023-02-07 |
公开(公告)号: | CN116107105A | 公开(公告)日: | 2023-05-12 |
发明(设计)人: | 陆荣国;谭孟;王广彪 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G02F1/035 | 分类号: | G02F1/035;G02F1/03;G02F1/225;G02F1/21 |
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地址: | 611731 *** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 石墨 微环高 线性 偏振 无关 电光 调制器 | ||
1.一种基于石墨烯的微环高线性度偏振无关电光调制器,其特征在于,所述调制器固定在基底7上,具体包括2个模式转换耦合结构11、2个微环波导结构5、相位调制结构1、调制结构9、2个信号调制结构2、调制耦合结构3、调制耦合结构10和包含MZ可调分束器4。
2.根据权利要求1所述,其特征在于,该调制器可以实现TE、TM两种模式的调制,器件分为TE模调制区域和TM模调制区域。
3.根据权利要求3所述,其特征在于,模式转换耦合结构11包含锥形的模式转换器12和非对称定向耦合器13。
4.根据权利要求3所述,其特征在于,所述TE模调制区域和TM模调制区域都包含微环波导结构5,集成了相位调制结构1、9和信号调制结构2,并与调制耦合结构3保持固定的间距。
5.根据权利要求1所述,其特征在于,相位调制结构1、9的区别是石墨烯在微环中的所处位置不同,相位调制结构9的石墨烯是(c)所示的嵌入型,相位调制结构1的石墨烯是(e)所示的包裹型。
6.根据权利要求1所述,其特征在于,MZ可调分束器4、相位调制结构1、9均有2层六方氮化硼(hBN)14包裹石墨烯层15,石墨烯层15分别向远离波导一侧延伸,且分别与电极16、17和19相连。信号调制结构2和直流偏置8通过电极施加电信号和偏压。
7.根据权利要求1所述,其特征在于,所述调制器的波导材料为硅,基底7材料为二氧化硅。
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