[发明专利]发声装置和电子设备

说明书

本发明公开一种发声装置和电子设备，其中，发声装置包括外壳和发声单体，外壳设有容纳腔、出声孔及共振腔，发声单体设于容纳腔，发声单体包括振膜，振膜将容纳腔分隔成前声腔和狭长的后声腔，出声孔连通前声腔，后声腔配置为封闭结构，共振腔设有连通孔并通过连通孔与后声腔连通。本发明的技术方案能够改善发声装置的驻波谷问题，从而提升频响曲线的平坦度并提升音质。

技术领域

本发明涉及发声装置技术领域，特别涉及一种发声装置和电子设备。

背景技术

发声装置是一种能量转换器件，用于完成电信号与声信号之间的转换。发声装置作为手机、平板电脑、智能眼镜等电子设备上的重要器件，其结构设计受到诸多的受限条件，但仍不断地改善以追求更好的高保真音质性能。以手机为例，其发声装置的后声腔通常呈封闭结构设置，而封闭的后声腔容易引起频响曲线的驻波谷问题，从而影响频响曲线的平坦度并降低发声装置的音质。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种发声装置，旨在改善发声装置的驻波谷问题，从而提升频响曲线的平坦度并提升音质。

为实现上述目的，本发明提出的发声装置包括：

外壳，设有容纳腔、出声孔及共振腔；和

发声单体，设于所述容纳腔，所述发声单体包括振膜，所述振膜将所述容纳腔分隔成前声腔和狭长的后声腔，所述出声孔连通所述前声腔，所述后声腔配置为封闭结构，所述共振腔设有连通孔并通过所述连通孔与所述后声腔连通。

可选地，所述共振腔的共振频率位于所述发声装置的驻波谷对应的频段内。

可选地，所述共振腔设有一个，且所述共振腔的共振频率等于所述驻波谷的谷点频率。

可选地，所述连通孔设于所述共振腔的朝向所述发声单体的一侧。

可选地，所述共振腔设有至少两个，至少两所述共振腔的共振频率配置为不同，任一所述共振腔均通过各自的连通孔单独与所述后声腔连通。

可选地，至少两相邻的所述共振腔在互相靠近的一侧共用腔壁设置。

可选地，至少一个所述共振腔的共振频率小于所述驻波谷的谷点频率，至少一个所述共振腔的共振频率大于所述驻波谷的谷点频率。

可选地，所述共振腔设有三个，其中一个所述共振腔的共振频率等于所述驻波谷的谷点频率；和/或，三个所述共振腔的共振频率呈等带宽分布。

可选地，所述后声腔具有在长度方向上相对的两端壁，所述发声单体邻近其中一所述端壁，所述共振腔设于另一所述端壁。

可选地，所述共振腔设有至少两个，至少两所述共振腔沿所述端壁的延伸方向分布。

可选地，所述共振腔配置为赫姆霍兹共鸣器，所述赫姆霍兹共鸣器包括腔体段和管道段，所述管道段的管口配置为所述连通孔。

可选地，所述管道段连通于所述腔体段的靠近所述发声单体的一侧，且朝靠近所述发声单体的方向延伸。

可选地，所述腔体段的宽度尺寸大于或等于所述管道段在横截面最大处的宽度尺寸的4倍，且小于或等于所述后声腔的宽度尺寸。

可选地，所述管道段在横截面最大处的宽度尺寸大于或等于0.3mm，且小于或等于所述后声腔的高度尺寸。

可选地，所述管道段在横截面最大处的高度尺寸小于或等于所述后声腔的高度尺寸。

可选地，所述管道段的长度尺寸大于或等于0.4mm，且小于或等于所述后声腔的长度尺寸的一半。

可选地，所述赫姆霍兹共鸣器设有多个，多个所述赫姆霍兹共鸣器中的最大腔体段的体积与最小腔体段的体积比值小于或等于2。