[发明专利]发声装置和电子设备在审
申请号: | 202310058422.3 | 申请日: | 2023-01-13 |
公开(公告)号: | CN116405858A | 公开(公告)日: | 2023-07-07 |
发明(设计)人: | 李雪;李波波;刘书明 | 申请(专利权)人: | 歌尔股份有限公司 |
主分类号: | H04R23/00 | 分类号: | H04R23/00 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 胡庆 |
地址: | 261031 山东省潍*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发声 装置 电子设备 | ||
1.一种发声装置,其特征在于,包括:
外壳,设有容纳腔、出声孔及共振腔;和
发声单体,设于所述容纳腔,所述发声单体包括振膜,所述振膜将所述容纳腔分隔成前声腔和狭长的后声腔,所述出声孔连通所述前声腔,所述后声腔配置为封闭结构,所述共振腔设有连通孔并通过所述连通孔与所述后声腔连通。
2.如权利要求1所述的发声装置,其特征在于,所述共振腔的共振频率位于所述发声装置的驻波谷对应的频段内。
3.如权利要求2所述的发声装置,其特征在于,所述共振腔设有一个,且所述共振腔的共振频率等于所述驻波谷的谷点频率;
和/或,所述连通孔设于所述共振腔的朝向所述发声单体的一侧。
4.如权利要求2所述的发声装置,其特征在于,所述共振腔设有至少两个,至少两所述共振腔的共振频率配置为不同,任一所述共振腔均通过各自的连通孔单独与所述后声腔连通。
5.如权利要求4所述的发声装置,其特征在于,至少两相邻的所述共振腔在互相靠近的一侧共用腔壁设置。
6.如权利要求4所述的发声装置,其特征在于,至少一个所述共振腔的共振频率小于所述驻波谷的谷点频率,至少一个所述共振腔的共振频率大于所述驻波谷的谷点频率。
7.如权利要求6所述的发声装置,其特征在于,所述共振腔设有三个,其中一个所述共振腔的共振频率等于所述驻波谷的谷点频率;和/或,三个所述共振腔的共振频率呈等带宽分布。
8.如权利要求1所述的发声装置,其特征在于,所述后声腔具有在长度方向上相对的两端壁,所述发声单体邻近其中一所述端壁,所述共振腔设于另一所述端壁。
9.如权利要求8所述的发声装置,其特征在于,所述共振腔设有至少两个,至少两所述共振腔沿所述端壁的延伸方向分布。
10.如权利要求1至9任一项所述的发声装置,其特征在于,所述共振腔配置为赫姆霍兹共鸣器,所述赫姆霍兹共鸣器包括腔体段和管道段,所述管道段的管口配置为所述连通孔。
11.如权利要求10所述的发声装置,其特征在于,所述管道段连通于所述腔体段的靠近所述发声单体的一侧,且朝靠近所述发声单体的方向延伸;
和/或,所述腔体段的宽度尺寸大于或等于所述管道段在横截面最大处的宽度尺寸的4倍,且小于或等于所述后声腔的宽度尺寸;
和/或,所述管道段在横截面最大处的宽度尺寸大于或等于0.3mm,且小于或等于所述后声腔的高度尺寸;
和/或,所述管道段在横截面最大处的高度尺寸小于或等于所述后声腔的高度尺寸;
和/或,所述管道段的长度尺寸大于或等于0.4mm,且小于或等于所述后声腔的长度尺寸的一半;
和/或,所述赫姆霍兹共鸣器设有多个,多个所述赫姆霍兹共鸣器中最大腔体段的体积与最小腔体段的体积比值小于或等于2。
12.如权利要求10所述的发声装置,其特征在于,所述外壳包括相拼接的第一壳体和第二壳体,所述第一壳体与所述第二壳体围合出所述容纳腔,所述第一壳体和/或所述第二壳体一体成形出所述共振腔的腔壁。
13.如权利要求12所述的发声装置,其特征在于,所述第二壳体的内壁面凸设有间隔设置的两管道凸筋,所述第一壳体的内壁面凸设有管道凸台,所述管道凸筋抵接于所述管道凸台,两所述管道凸筋、所述管道凸台及所述第二壳体的内壁面共同限定出所述管道段;
和/或,所述第一壳体和所述第二壳体沿所述发声单体的高度方向分布,所述第一壳体具有在所述发声单体的宽度方向上相对的两侧面,其中一所述侧面靠近所述发声单体并设有所述出声孔。
14.一种电子设备,其特征在于,包括如权利要求1至13任一项所述的发声装置。
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