[发明专利]一种CXL内存模组及内存存储系统在审
| 申请号： | 202310058375.2 | 申请日： | 2023-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN115982078A | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 戴瑾 | 申请（专利权）人： | 北京超弦存储器研究院 |
| 主分类号： | G06F13/40 | 分类号： | G06F13/40;G06F13/42;G06F15/163 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 吴凤凰;龙洪 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 cxl 内存 模组 存储系统 | ||
1.一种CXL内存模组，用于对计算机进行内存扩充，其特征在于，包括控制器芯片和至少一组DRAM芯片；
所述控制器芯片与每一组DRAM芯片之间使用串行接口进行连接。
2.根据权利要求1所述的CXL内存模组，其特征在于，所述串行接口包括高速Serdes串行接口。
3.根据权利要求2所述的CXL内存模组，其特征在于，所述高速Serdes串行接口基于PCIe协议进行通信传输。
4.根据权利要求3所述的CXL内存模组，其特征在于，所述控制器芯片包括：PCIe开关系统，被配置为所述控制器芯片根据主机发送的内存读写请求进行数据交换时导通，将主机和对应一组DRAM芯片建立连接，进行数据交换。
5.根据权利要求1所述的CXL内存模组，其特征在于，所述控制器芯片包括：CXL接口，所述CXL接口被配置为连接主机；
所述CXL接口连接的主机能够对所述CXL内存模组发送内存读写请求的CXL指令；
所述控制器芯片被配置为收到主机的内存读写请求时，根据地址选择一组DRAM芯片与主机进行数据交换。
6.根据权利要求5所述的CXL内存模组，其特征在于，DRAM芯片由多个硅片封装在一起，多个硅片使用同一组高速串口管脚进行通信。
7.根据权利要求6所述的CXL内存模组，其特征在于，多个硅片使用的同一组高速串口管脚连接到所述控制器芯片的一个控制端；
所述控制器芯片收到主机的内存读写请求时，根据地址选择一组DRAM芯片，以及相应的片选，连通相应的硅片进行数据交换。
8.根据权利要求5所述的CXL内存模组，其特征在于，所述控制器芯片还包括：嵌入式CPU内核，被配置为收到主机的内存读写请求时，根据地址选择一组DRAM芯片与主机进行数据交换。
9.根据权利要求1所述的CXL内存模组，其特征在于，所述控制器芯片还包括：ECC纠错系统，被设置为对DRAM芯片的数据进行ECC纠错。
10.一种内存存储系统，其特征在于，包括主机和如权利要求1-9任一项所述的CXL内存模组；所述主机与所述的CXL内存模组中的CXL接口连接。
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