[发明专利]电路、电子设备以及操作电子设备的方法在审

专利信息
申请号: 202310058266.0 申请日: 2019-12-03
公开(公告)号: CN116074169A 公开(公告)日: 2023-05-05
发明(设计)人: L·M·埃尔加尼;F·伦齐尼;L·佩里利;E·弗兰基·斯卡尔赛利;A·纽迪;R·卡内加罗;G·里科蒂 申请(专利权)人: 意法半导体股份有限公司
主分类号: H04L27/06 分类号: H04L27/06;H04B1/16;H04B1/18
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;郭星
地址: 意大利阿格*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电路 电子设备 以及 操作 方法
【权利要求书】:

1.一种电路,包括:

第一节点,其被配置为接收模拟信号,所述模拟信号是针对数字信号的振幅调制射频信号;

输出节点,其被配置为提供输出信号,所述输出信号指示所述模拟信号的包络的上升边沿和下降边沿,所述上升边沿和所述下降边沿指示所述数字信号的上升边沿和下降边沿;以及

第一电流路径,其在电源节点和所述第一节点之间,所述第一电流路径包括耦合在所述第一节点和第一偏置源之间的第一晶体管,所述第一偏置源耦合在所述第一晶体管和所述电源节点之间,其中:

所述输出节点耦合到所述第一电流路径中的在所述第一晶体管和所述第一偏置源之间的第一中间节点,以及

所述第一晶体管的控制端子经由反馈网络耦合到所述输出节点,其中所述电路是边沿检测电路,所述边沿检测电路包括与具有所述第一节点的输入和具有所述输出节点的输出。

2.根据权利要求1所述的电路,进一步包括:

另外的晶体管,其在所述第一电流路径中,所述另外的晶体管耦合在所述第一晶体管和所述第一偏置源之间,其中所述第一电流路径中的所述第一中间节点位于所述另外的晶体管和所述第一偏置源之间。

3.根据权利要求1所述的电路,其中所述反馈网络包括耦合在所述输出节点和所述第一晶体管的所述控制端子之间的低通网络。

4.根据权利要求1所述的电路,其中所述第一偏置源包括电流生成器。

5.根据权利要求1所述的电路,其中所述第一晶体管是金属氧化物半导体(MOS)晶体管,并且所述第一晶体管的所述控制端子是栅极端子,并且其中所述第一晶体管被配置为操作在亚阈值状况中。

6.根据权利要求1所述的电路,其中所述反馈网络包括电容器,并且其中由所述第一偏置源提供的电流的值以及所述电容器的电容值根据所述数字信号的比特率是可调整的。

7.根据权利要求1所述的电路,进一步包括:

第二电流路径,其在所述电源节点和地节点之间,所述第二电流路径包括第二晶体管和第二偏置源,所述第二晶体管耦合在所述电源节点和所述输出节点之间,所述第二偏置源耦合在所述输出节点和地节点之间,其中:

所述第二晶体管的控制端子耦合到所述第一电流路径中的所述第一中间节点,以及

所述输出节点耦合到所述第二电流路径中的在所述第二晶体管和所述第二偏置源之间的第二中间节点。

8.根据权利要求7所述的电路,其中所述第二晶体管的控制端子耦合到所述第一电流路径中的所述第一中间节点。

9.根据权利要求7所述的电路,其中所述第二偏置源包括电流生成器。

10.根据权利要求7所述的电路,包括:

第三晶体管,其在所述第一电流路径中,所述第三晶体管耦合在所述第一晶体管和所述第一偏置源之间,其中所述第一电流路径中的所述第一中间节点位于所述第三晶体管和所述第一偏置源之间;以及

第三偏置源,其耦合到所述第三晶体管的控制端子。

11.根据权利要求10所述的电路,其中所述第三偏置源包括电流生成器。

12.根据权利要求7所述的电路,进一步包括:

pn结,其在所述第二电流路径中,所述pn结耦合在所述输出节点和所述第二偏置源之间,并且从所述输出节点朝向所述第二偏置源导通,其中所述反馈网络耦合在所述pn结和所述第一晶体管的所述控制端子之间。

13.根据权利要求12所述的电路,其中所述pn结包括二极管。

14.根据权利要求12所述的电路,其中所述pn结包括二极管接法晶体管。

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