[发明专利]背照式BSI图像传感器在审

专利信息
申请号: 202310049636.4 申请日: 2018-09-28
公开(公告)号: CN116095518A 公开(公告)日: 2023-05-09
发明(设计)人: 周耕宇;江伟杰;王铨中;曾建贤;桥本一明 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H04N25/00 分类号: H04N25/00;H04N25/79;H04N23/50;H04N25/44
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 李春秀
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 背照式 bsi 图像传感器
【权利要求书】:

1.一种背照式BSI图像传感器,其包括:

衬底,其包括正面及与所述正面对置的背面;

多个像素传感器,其布置成阵列;

多个彩色滤光器,其分别安置于所述多个像素传感器上;

隔离栅格,其安置于所述衬底中且使所述多个像素传感器彼此分离;

反射栅格,其在所述衬底的所述背面上安置于所述隔离栅格上方,且所述反射栅格的深度小于所述隔离栅格的深度;及

低n栅格,其安置于在所述多个彩色滤光器之间并直接接触所述多个彩色滤光器。

2.根据权利要求1所述的BSI图像传感器,其中所述多个彩色滤光器安置于所述衬底的所述背面上。

3.根据权利要求2所述的BSI图像传感器,其中所述低n栅格使所述多个彩色滤光器彼此分离。

4.一种背照式BSI图像传感器,其包括:

衬底,其包括正面及与所述正面对置的背面;

像素传感器;

彩色滤光器,其安置于所述背面上方并对应于所述像素传感器;

单一隔离,其安置于所述背面上方,直接接触并包围所述彩色滤光器,其中所述单一隔离由小于所述彩色滤光器的折射率的一材料组成;及

混合隔离,其在所述衬底中包围所述像素传感器,且所述混合隔离包括:

导电结构;及

介电层,其至少覆盖所述导电结构的侧壁。

5.根据权利要求4所述的BSI图像传感器,其中所述混合隔离的厚度大体上等于或小于所述衬底的厚度。

6.根据权利要求4所述的BSI图像传感器,其中所述混合隔离进一步包括安置于所述衬底中的第一绝缘结构。

7.根据权利要求6所述的BSI图像传感器,其进一步包括在所述背面上安置于所述衬底上方的第二绝缘结构。

8.一种背照式BSI图像传感器,其包括:

衬底,其包括正面及与所述正面对置的背面;

像素传感器;

彩色滤光器,其对应于所述像素传感器且在所述背面上安置于所述衬底上方;

第一隔离,其在所述衬底中包围所述像素传感器,所述第一隔离包括介电层、第一导电结构及第一绝缘结构;及

第二隔离,其在所述衬底的所述背面上直接接触并包围所述彩色滤光器,其中所述第二隔离由小于所述彩色滤光器的折射率的一材料组成。

9.根据权利要求8所述的BSI图像传感器,其中从平面图看,所述第二隔离与所述第一隔离重叠。

10.根据权利要求8所述的BSI图像传感器,其中所述第一隔离包括第一导电结构及第一绝缘结构。

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