[发明专利]一种低成本高性能钕铁硼磁体的制备方法

权利要求书

1.一种低成本高性能钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)分别熔炼高镧铈基体和富钕镨相得到高镨钕基体速凝片和富钕镨相速凝片，将高镨钕基体速凝片和富钕镨相速凝片分别破碎成粉末；

(2)将高镧铈基体粉末和富钕镨相粉末混合后进行取向成型，等静压处理，一次烧结及一次回火热处理后得到毛坯磁体；

(3)在毛坯磁体表面形成渗透金属，二次烧结及二次回火热处理后得到高性能钕铁硼磁体。

2.根据权利要求1所述低成本高性能钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，高镧铈基体的化学分子式为(Pr_xNd_1-x)_a(M1)_b(M2)_cCo_dB_eFe_{100-a-b-c-d-e}，0.2≤x＜1，20.0≤a≤28.0，2≤b≤10，0＜c≤0.5，0.4≤d≤0.8，0.9≤e≤1.2，M1为La、Ce、Dy、Ho、Er、Yb中的一种或多种，M2为Cu、Al、Cd中的一种或多种；

和或高钕镨相的化学分子式为(Pr_yNd_1-y)_pAl_qCo_rB_sM3_tFe_{100-p-q-r-s-t}，0.2≤y＜1，50≤p≤60，3≤q≤10，10≤r≤15，10≤s≤25，5≤t≤12，M3为Cu、Ga、Dy、Zr、Ti中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述低成本高性能钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，渗透金属为镝、铽、钬、镨、钕、铝、镓、铜、钴、钛、镍、锌中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述低成本高性能钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，高镧铈基体和富钕镨相的质量百分比分别为95～99.5％和0.5～5％。

5.根据权利要求1所述低成本高性能钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，渗透金属的质量为高镧铈基体和富钕镨相质量总和的0.2～1.0％。

6.根据权利要求1所述低成本高性能钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，步骤(1)中熔炼的温度为1400～1500℃，熔炼时铜辊转速为1.0～2.0m/s，熔炼后得到的高镨钕基体速凝片和富钕镨相速凝片的平均厚度为0.15～0.35mm。

7.根据权利要求1所述低成本高性能钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，步骤(1)中高镨钕基体速凝片和富钕镨相速凝片通过氢破、气流磨破碎后粒径分别为0.8～5.0μm、2.5～4.0μm。

8.根据权利要求1所述低成本高性能钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，步骤(2)中一次烧结的温度为1000～1100℃，时间为1～10h；

和或一次回火热处理的温度为400～950℃，时间为1～6h。

9.根据权利要求1所述低成本高性能钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，步骤(3)中二次烧结在3.0～5.0×10^-3MPa的真空下进行，烧结温度为800～1000℃，时间为10～20h；

和或二次回火热处理的温度为400～680℃，时间为3～8h。

10.一种钕铁硼磁体，其特征在于，由权利要求1所述的低成本高性能的制备方法制备而得。