[发明专利]一种曝光方法、装置及电子设备

说明书

本发明提供了一种曝光方法、装置及电子设备，应用于半导体技术领域。具体的，其通过将XT400系列的Iline光刻机目前所采用的行与行之间进行的蛇形走位的曝光方式，优化为行与行之间所包含的曝光单元均沿单一方向依次曝光的曝光方式，实现虽然所述光刻机本身的传感器的配置低于其他类型的光刻机、其载片台进行的运动为具有惯性的机械运动，但是依然可以解决现有技术中由于蛇形走位的曝光顺序，所导致的曝光在晶圆上的同一光刻图层中的行与行之间存在15nm左右的行间差异的问题的目的，即，削弱了XT400系列的Iline光刻机曝光时，由于其自身传感器配置低以及由于载片台的惯性机械运动所带来的同一光刻图层中的行与行之间存在15nm左右的套刻精度行间差异。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种曝光方法、装置及电子设备。

背景技术

随着半导体制程尺寸越来越小，集成芯片集成度的不断提高，使得芯片的制作工艺日趋复杂。半导体制程的光刻工艺是一种将所需图案应用于基底上的一个或多个目标位置上的工艺，并可用于集成电路(IC)的制造。具体在光刻工艺的曝光过程中，由于曝光系统一次曝光的面积大小是有限的，因此在曝光时需要将一个晶圆划分为多个曝光单元(shot)分别进行曝光成像。

在光刻工艺中，需要使用光刻机(scanner)来曝光定义半导体结构图形；目前，ASML系列光刻机是业界的主流光刻机，而其因所采用的光源的不同，大致可以分为XT400系列的Iline光刻机、XT860系列的DUV光刻机以及XT1460系列的ARF光刻机。而因各所述系列光刻机的制造技术节点不同，导致各系列光刻机装备中所包含的用于监控载片台(Stage)左右或上下移动的传感器(sen sor)均有所差异，这将势必导致多层光刻图层以及同一光刻图层中的多行图形的套刻精度(Overlay)将有所差异。

目前，对于XT400系列的Iline光刻机，ASMLScannerrecipe规定了多个Shot的曝光顺序为如图1所示的蛇形走位。具体的，在曝光的过程中，载有晶圆的stage带动晶圆进行左右移动的机械运动，而移动精度由载片台(Stage)两端分别配置的Sensor控制，由于其进行的蛇形走位，因此同一光刻图层中的相邻两行(Row)之间的移动方向是相反的。然而，由于载片台(Stage)的移动过程中还带有惯性，并且XT400系列的Iline光刻机本身的sensorController配置低于其他类型的光刻机，例如，XT860系列的DUV光刻机，这将导致在XT400系列的Iline光刻机按照蛇形走位完成曝光后，其势必会出现同一光刻图层中的行与行之间存在15nm左右的套刻精度差异(简称为行间差异)。

发明内容

本发明的目的在于提供一种曝光方法、装置及电子设备，以通过将XT400系列的Iline光刻机的曝光顺序从原来的蛇形走位优化为不同行所包含的曝光单元均沿单一方向依次曝光(优化行与行之间的曝光顺序)的方式，实现解决现有技术中由于蛇形走位的曝光顺序，所导致的曝光在晶圆上的同一光刻图层中的行与行之间存在15nm左右的行间差异的问题的目的。

第一方面，为解决上述技术问题，本发明提供一种曝光方法，具体的本发明所提供的所述曝光方法其可以应用于包括载片台和两个用于监控晶圆进行左右移动且沿水平方向排布在所述载片台两侧的传感器的光刻机，而所述曝光方法则具体包括如下步骤：

在所述载片台上放置一晶圆，所述晶圆沿第一方向被划分为多个行，而每一行则包含沿第二方向依次排布的若干个曝光单元，所述第一方向和第二方向相互垂直。

在所述光刻机中，设置所述晶圆中所包含的曝光单元的曝光顺序，并移动所述载片台，以使所述晶圆中的每行曝光单元均沿与所述第二方向平行的方向进行曝光，即在所述晶圆上得到预设掩膜版上的当前图层所对应的曝光图形。

进一步的，每一行的多个曝光单元的曝光顺序均可以为沿所述第二方向依次曝光，或者，所述每一行的多个曝光单元的曝光顺序均可以为沿所述第二方向的反方向依次曝光。