[发明专利]基于第一性原理的X射线汤姆逊散射谱模拟方法在审
申请号: | 202310017137.7 | 申请日: | 2023-01-06 |
公开(公告)号: | CN116026871A | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 莫崇杰;康炜;张平 | 申请(专利权)人: | 北京计算科学研究中心 |
主分类号: | G01N23/201 | 分类号: | G01N23/201 |
代理公司: | 北京广技专利代理事务所(特殊普通合伙) 11842 | 代理人: | 张国香 |
地址: | 100000 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 第一性 原理 射线 汤姆 散射 模拟 方法 | ||
1.基于第一性原理的X射线汤姆逊散射谱模拟方法,其包括如下步骤:
步骤S1,通过第一性原理分子动力学,模拟特定电子和离子温度密度下的温稠密物质的离子状态,以此获得一系列平衡态离子构型;再根据有限温度密度泛函理论,对所述平衡态离子构型进行模拟,得到温稠密物质的X射线汤姆逊散射谱的弹性部分的总积分强度S1(q);
步骤S2,对所述平衡态离子构型开展关于有限温度密度泛函理论的模拟,获得相应的基态波函数;根据所述基态波函数,开展含时密度泛函理论微扰公式计算,得到不同平衡态离子构型对应的电子响应函数χ(q,q',ω);再根据所述电子响应函数χ(q,q',ω),得到温稠密物质的X射线汤姆逊散射谱的非弹性部分的总强度S2(q,ω);
步骤S3,根据所述X射线汤姆逊散射谱的弹性部分的总积分强度S1(q)和非弹性部分的总强度S2(q,ω),得到所述温稠密物质的X射线汤姆逊散射谱的完整总强度S(q,ω)。
2.如权利要求1所述的基于第一性原理的X射线汤姆逊散射谱模拟方法,其特征在于:
在所述步骤S1中,根据有限温度密度泛函理论,对所述平衡态离子构型进行模拟,得到温稠密物质的X射线汤姆逊散射谱的弹性部分的总强度S1(q,ω),包括:
对平衡态离子构型进行分析处理,得到相应的离子静态结构因子Sii(q);基于有限温度密度泛函理论的模拟,获得部分平衡态离子构型的原子形状因子N(q)和部分电离的束缚态电子引起的弹性X射线散射强度根据所述离子静态结构因子Sii(q)和所述原子形状因子N(q),获得由电子密度的空间涨落引起的弹性X射线散射强度
根据所述电子密度的空间涨落引起的弹性X射线散射强度和部分电离引起的弹性X射线散射强度得到温稠密物质的X射线汤姆逊散射谱的弹性部分的总积分强度S1(q),即
3.如权利要求2所述的基于第一性原理的X射线汤姆逊散射谱模拟方法,其特征在于:
在所述步骤S1中,根据所述离子静态结构因子Sii(q)和所述原子形状因子N(q),获得由电子密度的空间涨落引起的弹性X射线散射强度包括:
利用下面公式(1),根据所述离子静态结构因子Sii(q)和所述原子形状因子N(q),获得由电子密度的空间涨落引起的弹性X射线散射强度
在上述公式(1)中,Ni表示离子数。
4.如权利要求3所述的基于第一性原理的X射线汤姆逊散射谱模拟方法,其特征在于:
在所述步骤S1中,还包括:
利用下面公式(2),得到所述原子形状因子N(q),
N(q)=ρe(q)/ρi(q) (2)
在上述公式(2)中,ρe(q)表示电子密度ρe(r)的傅里叶变换;ρi(q)表示离子密度ρi(r)的傅里叶变换;表示求取系综平均运算;上述公式(2)的含义为N(q)等于电子密度ρe(r)的傅里叶变换ρe(q)除以离子密度ρi(r)的傅里叶变换ρi(q)的系综平均;
利用下面公式(3),得到所述离子静态结构因子Sii(q),
Sii(q)=|ρi(q)|2/Ni (3)
在上述公式(3)中,ρi(q)表示离子密度ρi(r)的傅里叶变换;||表示求取模运算;表示求取系综平均运算;Ni表示离子数。
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