[发明专利]电路的验证方法、装置、设备及存储介质在审
申请号: | 202310006138.1 | 申请日: | 2023-01-04 |
公开(公告)号: | CN115906725A | 公开(公告)日: | 2023-04-04 |
发明(设计)人: | 张雪亮 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G06F30/33 | 分类号: | G06F30/33;G06F30/398 |
代理公司: | 北京名华博信知识产权代理有限公司 11453 | 代理人: | 鲁盛楠 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电路 验证 方法 装置 设备 存储 介质 | ||
本公开提供一种电路的验证方法、装置、设备及存储介质。电路的验证方法包括:获取待测电路中端接电路模块的状态验证文件;状态验证文件包括端接电路模块的待检查信号的标准输出数据;获取待测电路中端接电路模块的仿真输出文件;仿真输出文件包括端接电路模块的待检查信号的实际输出波形;获取待测电路中端接电路模块的映射文件;映射文件包括状态验证文件与仿真输出文件中待检查信号的映射关系;根据映射文件,对比状态验证文件和仿真输出文件,检查端接电路模块的待检查信号的状态。在本公开中,根据映射文件将状态验证文件和仿真输出文件进行对比,能够检查端接电路模块的待检查信号的状态,自动地验证端接电路模块的状态以提高端接电路模块仿真验证的效率。
技术领域
本公开涉及半导体技术领域,尤其涉及一种电路的验证方法、装置、设备及存储介质。
背景技术
动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)作为计算机系统中重要的半导体存储器,在读、写和空闲状态时,内部的端接(On-Die Termination,ODT)电路具有不同的状态。为了避免动态随机存储器在读、写和空闲状态时发生错误,需要在不同的测试条件下,通过仿真来验证端接电路模块的状态是否正常。
当验证端接电路模块的状态时,需要测试人员对仿真结果进行人工分析,导致端接电路模块仿真验证的效率很低。
发明内容
以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本公开提供一种电路的验证方法、装置、设备及存储介质。
根据本公开实施例的第一方面,提供一种电路的验证方法,所述电路的验证方法包括:
获取待测电路中端接电路模块的状态验证文件;所述状态验证文件包括所述端接电路模块的待检查信号的标准输出数据;
获取所述待测电路中所述端接电路模块的仿真输出文件;所述仿真输出文件包括所述端接电路模块的待检查信号的实际输出波形;
获取所述待测电路中所述端接电路模块的映射文件;所述映射文件包括所述状态验证文件与所述仿真输出文件中待检查信号的映射关系;
根据所述映射文件,对比所述状态验证文件和所述仿真输出文件,检查所述端接电路模块的待检查信号的状态。
根据本公开的一些实施例,在所述获取待测电路中端接电路模块的状态验证文件之前,所述电路的验证方法还包括:
获取所述端接电路模块的检查执行文件;所述检查执行文件包括所述状态验证文件、所述仿真输出文件和所述映射文件的存储路径信息;
根据所述检查执行文件中的所述存储路径信息,查找所述状态验证文件、所述仿真输出文件和所述映射文件。
根据本公开的一些实施例,在所述获取待测电路中端接电路模块的状态验证文件之前,所述电路的验证方法还包括:
获取所述端接电路模块的功能检查文件;所述功能检查文件包括仿真参数和所述待测电路的目标功能对应的激励信息;
基于所述功能检查文件,对所述待测电路进行功能验证,获取所述待检查信号的标准输出数据,形成完成所述目标功能时所述端接电路模块对应的状态验证文件。
根据本公开的一些实施例,所述基于所述功能检查文件,对所述待测电路进行功能验证,获取所述待检查信号的标准输出数据,形成完成所述目标功能时所述端接电路模块对应的状态验证文件,包括:
基于所述功能检查文件,对所述待测电路进行功能验证,生成所述待测电路的功能验证结果文件;
基于所述功能检查文件,从所述功能结果验证文件中获取所述待检查信号的标准输出数据,形成完成所述目标功能时所述端接电路模块对应的状态验证文件。
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