[实用新型]一种半桥功率模块和电子设备

说明书

本申请提供了一种半桥功率模块和电子设备，所述半桥功率模块包括：绝缘导热基板，具有相对的第一表面和第二表面；第一金属层，所述第一金属层位于所述第一表面；功率组件以及缓冲电路组件，所述功率组件以及所述缓冲电路组件位于所述第一金属层背离所述绝缘导热基板的一侧表面，基于所述第一金属层电连接。本申请技术方案，将所述功率组件与所述缓冲电路组件集成在同一绝缘导热基板上，降低了所述半桥功率模块的体积，减少了缓冲电路与所述功率组件之间的距离，提高了缓冲电路的效果，而所述绝缘导热基板能将所述缓冲电路组件与所述功率组件在工作时产生的热量快速散去，保障了所述缓冲电路组件能在较低温度下运行。

技术领域

本申请涉及半导体领域，更具体的说，涉及一种半桥功率模块和电子设备。

背景技术

半桥功率模块是功率模块中常用的一种结构，而在半桥功率模块中电器回路的寄生电感是评价模块性能的重要指标。较高的寄生电感可能会引起开关瞬态时的电流和电压尖峰及振荡，从而增加开关损耗、电磁干扰和半桥功率模块的电压、电流应力，影响半桥功率模块运行稳定性，是目前半桥功率模块中主要问题之一。

为了降低寄生电感，通常在电路中并联缓冲电路。现有技术中，缓冲电路是在半桥功率模块外部单独的PCB板上，额外的PCB板会增加半桥功率模块的体积，并且缓冲电路在工作过程中会产生大量热量，通过单独电路板设置缓冲电路，使得缓冲电路需要单独的散热设计，同时增加了缓冲电路与半桥功率模块之间的距离，降低了缓冲电路的效果。

实用新型内容

有鉴于此，本申请提供了一种半桥功率模块和电子设备，方案如下：

一种半桥功率模块，包括：

绝缘导热基板，具有相对的第一表面和第二表面；

第一金属层，所述第一金属层位于所述第一表面；

功率组件以及缓冲电路组件，所述功率组件以及所述缓冲电路组件位于所述第一金属层背离所述绝缘导热基板的一侧表面，基于所述第一金属层电连接。

优选的，在上述半桥功率模块中，所述第一金属层包括：第一端口区块、第二端口区块、第三端口区块以及多个连接区块；

所述功率组件包括：固定连接在所述第一端口区块上的第一桥臂功率组件以及固定连接在所述第三端口区块上的第二桥臂功率组件；

其中，所述第一端口区块作为第一直流输入端，用于与电源正极端子连接；所述第二端口区块作为第二直流输入端，用于与电源负极端子连接；所述第三端口区块作为交流输出端，用于与输出端子连接；所述连接区块用于使得所述缓冲电路组件与对应端口区块电连接，所述连接区块至少与两个端口区块相邻设置。

优选的，在上述半桥功率模块中，所述第一桥臂功率组件以及所述第二桥臂功率组件均包括至少一个功率芯片；所述功率芯片的底面具有第一极，顶面具有第二极和栅极；

对于所述第一桥臂功率组件，所述功率芯片的底面固定在所述第一端口区块上，使得所述功率芯片的第一极与所述第一端口区块连接，所述功率芯片的第二极与所述第三端口区块连接；

对于所述第二桥臂功率组件，所述功率芯片的底面固定所述第三端口区块上，使得所述功率芯片的第一极与所述第三端口区块连接，所述功率芯片的第二极与所述第二端口区块连接。

优选的，在上述半桥功率模块中，所述第三端口区块位于所述第一端口区块与所述第二端口区块之间。

优选的，在上述半桥功率模块中，所述第一金属层还包括第一栅极区块和第二栅极区块；

所述第一桥臂功率组件中功率芯片的栅极与所述第一栅极区块连接；

所述第二桥臂功率组件中功率芯片的栅极与所述第二栅极区块连接。

优选的，在上述半桥功率模块中，所述缓冲电路组件包括：