[实用新型]用于制造声表面波滤波器的通用掩模版有效
| 申请号: | 202223489159.3 | 申请日: | 2022-12-26 |
| 公开(公告)号: | CN219475985U | 公开(公告)日: | 2023-08-04 |
| 发明(设计)人: | 许欣;吴旭 | 申请(专利权)人: | 广东广纳芯科技有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/50 | 分类号: | G03F1/50;G03F1/68;H03H3/08 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 宋俊寅 |
| 地址: | 511363 广东省广州市黄埔区九龙大道粤港*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 制造 表面波 滤波器 通用 模版 | ||
本实用新型涉及一种用于制造声表面波滤波器的通用掩模版,所述通用掩模版包括至少一个曝光区,所述至少一个曝光区的每个曝光区包括至少一个掩模版单元,所述至少一个掩模版单元的每个掩模版单元中的开窗的面积被设置为,以使得利用所述通用掩模版进行光刻工艺所得到的所述声表面波滤波器的开窗层的开孔的面积满足具有相同尺寸的至少两种所述声表面波滤波器所需要的植球区域的面积的要求,所述至少一个掩模版单元的每个掩模版单元中的开窗的数量和位置被设置为,以使得利用所述通用掩模版进行光刻工艺所得到的所述声表面波滤波器的开窗层的开孔的数量和位置满足具有相同尺寸的至少两种所述声表面波滤波器所需要的植球区域的数量和位置的要求。
技术领域
本实用新型涉及一种用于制造声表面波滤波器的通用掩模版。
背景技术
由于5G时代的到来,通讯设备中需要越来越多的不同频段的高性能滤波器,而基于压电材料的声表面波(SAW)滤波器由于其较传统射频微波滤波器具有更佳的频率选择性以及较小的尺寸和重量被广泛应用。
随着声表面波滤波器(SAW)的大规模使用以及行业间竞争愈加激烈,声表面波(SAW)滤波器的制造成本对于生产制造商变得越来越重要,与传统射频微波滤波器制造工艺相比,声表面波滤波器制造是基于芯片制造工艺,在其制造工艺中光刻工艺占据较大部分,而在光刻工艺中掩模版加工费用占比较大。
在SAW滤波器制造工艺中一般有4层结构即叉指换能器(IDT)层、加厚层、架桥层以及开窗层(如图4所示),每一层的制造需要利用独立设置在掩模版上的不同区域内的掩模版图案并通过光刻机执行光刻工艺(光刻工艺包括涂胶、曝光、显影、刻蚀)。即,一般需要在掩模版上的4个区域设计对应于上述4个层的不同的掩模版图案,对于只有4个象限的掩模版来说,一个SAW滤波器的设计一般就需要一整块掩模版。
实用新型内容
解决技术问题所采用的技术方案
然而,随着滤波器性能的要求越来越高,往往需要在设计时尝试不同方案,而不同的每个方案需要单独的掩模版且不同掩模版之间无法公用,导致在设计滤波器时需要较多的掩模版,从而导致制造费用高昂。
本实用新型是鉴于上述问题而完成的,其目的在于提供一种用于制造声表面波滤波器的通用掩模版,通过将每个掩模版单元中的开窗的面积设置为以使得利用通用掩模版进行光刻工艺所得到的声表面波滤波器的开窗层的开孔的面积满足具有相同尺寸的至少两种声表面波滤波器所需要的植球区域的面积的要求,并且将每个掩模版单元中的开窗的数量和位置设置为以使得利用通用掩模版进行光刻工艺所得到的声表面波滤波器的开窗层的开孔的数量和位置满足具有相同尺寸的至少两种声表面波滤波器所需要的植球区域的数量和位置的要求,从而减少了用于制造不同种类滤波器的开窗层的开孔所需要的掩模版数量,能够节省一定的掩模版的制造费用。
本实用新型的第一方面所涉及的用于制造声表面波滤波器的通用掩模版中,所述通用掩模版包括至少一个曝光区,所述至少一个曝光区的每个曝光区包括至少一个掩模版单元,所述至少一个掩模版单元的每个掩模版单元中的开窗的面积被设置为,以使得利用所述通用掩模版进行光刻工艺所得到的所述声表面波滤波器的开窗层的开孔的面积满足具有相同尺寸的至少两种所述声表面波滤波器所需要的植球区域的面积的要求,所述至少一个掩模版单元的每个掩模版单元中的开窗的数量和位置被设置为,以使得利用所述通用掩模版进行光刻工艺所得到的所述声表面波滤波器的开窗层的开孔的数量和位置满足具有相同尺寸的至少两种所述声表面波滤波器所需要的植球区域的数量和位置的要求。
进一步地,至少两种所述声表面波滤波器包括接收端滤波器和发射端滤波器。
进一步地,所述相同尺寸为1.1mm×0.9mm。
进一步地,所述每个掩模版单元沿着外周的边缘包括6个开窗。
进一步地,具有相同尺寸的至少两种所述声表面波滤波器所需要的植球区域的数量为4个和6个。
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G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
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