[实用新型]用于制造声表面波滤波器的通用掩模版有效
| 申请号： | 202223489159.3 | 申请日： | 2022-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN219475985U | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 许欣;吴旭 | 申请（专利权）人： | 广东广纳芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/50 | 分类号： | G03F1/50;G03F1/68;H03H3/08 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 宋俊寅 |
| 地址： | 511363 广东省广州市黄埔区九龙大道粤港*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 制造 表面波 滤波器 通用 模版 | ||
1.一种用于制造声表面波滤波器的通用掩模版，其特征在于，
所述通用掩模版包括至少一个曝光区，所述至少一个曝光区的每个曝光区包括至少一个掩模版单元，
所述至少一个掩模版单元的每个掩模版单元中的开窗的面积被设置为，以使得利用所述通用掩模版进行光刻工艺所得到的所述声表面波滤波器的开窗层的开孔的面积达到具有相同尺寸的至少两种所述声表面波滤波器所需要的最大的植球区域的面积，
所述至少一个掩模版单元的每个掩模版单元中的开窗的数量和位置被设置为沿着所述掩模版单元的外周的边缘形成有6个，以使得利用所述通用掩模版进行光刻工艺所得到的所述声表面波滤波器的开窗层的开孔沿着所述开窗层的外周的边缘形成有6个。
2.如权利要求1所述的用于制造声表面波滤波器的通用掩模版，其特征在于，
至少两种所述声表面波滤波器包括接收端滤波器和发射端滤波器。
3.如权利要求1或2所述的用于制造声表面波滤波器的通用掩模版，其特征在于，
所述相同尺寸为1.1mm×0.9mm。
4.如权利要求1所述的用于制造声表面波滤波器的通用掩模版，其特征在于，
具有相同尺寸的至少两种所述声表面波滤波器所需要的植球区域的数量为4个和6个。
5.如权利要求1或2所述的用于制造声表面波滤波器的通用掩模版，其特征在于，
所述通用掩模版为1：1接近式掩模版。
6.如权利要求1或2所述的用于制造声表面波滤波器的通用掩模版，其特征在于，
所述通用掩模版为1：1接触式掩模版、或投影式掩模版。
7.如权利要求5所述的用于制造声表面波滤波器的通用掩模版，其特征在于，
所述通用掩模版的整体大小与单片晶圆一致。
8.如权利要求1或2所述的用于制造声表面波滤波器的通用掩模版，其特征在于，
所述通用掩模版包括多个曝光区，所述多个曝光区的每个曝光区包括多个掩模版单元。
9.如权利要求8所述的用于制造声表面波滤波器的通用掩模版，其特征在于，
所述多个掩模版单元呈矩阵状排列。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
