[实用新型]一种过流保护电路

说明书

本实用新型提供了一种过流保护电路，属于保护电路技术领域，包括MOS管Q1，MOS管Q1的漏极连接有外接负载；监测电路，与MOS管Q1电连接，所述监测电路包括控制芯片MCU，其中，控制芯片MCU向MOS管Q1输出周期性的PWM信号，MOS管Q1根据周期性PWM信号产生相应的电压值，通过控制芯片MCU的输入引脚采集该电压值以监测外接负载工作时的驱动电流。本实用新型通过控制芯片MCU发出周期性的PWM信号并实时通过AD引脚监测MOS管Q1的压降，AD引脚处的电压与MOS管Q1的压降呈正比，进而监测驱动电流的大小，整个过流保护电路结构简单，元器件少，制造成本低，且占用空间小，在实现过流保护的同时还能监测MOS管Q1是否短路，功能多样，实用性高。

技术领域

本实用新型属于保护电路技术领域，尤其涉及一种过流保护电路。

背景技术

在电机驱动的设计中，需要设计电流采样电路，实时监控驱动电流，防止电流过大，损坏产品，目前普遍用的设计都是在驱动电路上串联一颗电流采样电阻，将驱动电流转换成电压，再经过运放电路将其电压值进行放大后传送给MCU进行采集，达到监控电流，实现过流保护的功能。目前设计电路中用到了运放模块，随着晶圆越来越少，这种集成芯片的成本也会随之增长，交期也会越来越长，生产成本显著提高，同时目前的设计电路使用的元器件数量也较多，占用PCB板的空间较多，PCB板布局受限。因此，急需提供一种结构简单且成本低的过流保护电路，用于解决以上问题。

实用新型内容

本实用新型的目的是针对现有的技术存在上述问题，提出了一种结构简单且成本低的过流保护电路。

本实用新型的目的可通过下列技术方案来实现：一种过流保护电路，包括MOS管Q1，MOS管Q1的漏极连接有外接负载；监测电路，与MOS管Q1电连接，所述监测电路包括控制芯片MCU，其中，控制芯片MCU向MOS管Q1输出周期性的PWM信号，MOS管Q1根据周期性PWM信号产生相应的电压值，通过控制芯片MCU的输入引脚采集该电压值以监测外接负载工作时的驱动电流。

在上述的一种过流保护电路中，所述监测电路包括二极管D1，所述控制芯片MCU的输入引脚与二极管D1的正极相连接，二极管D1的负极与MOS管Q1的漏极相连接，当控制芯片MCU输出PWM信号时，通过控制芯片MCU的输入引脚采集MOS管Q1的电压值以监测外接负载工作时的驱动电流。

在上述的一种过流保护电路中，当控制芯片输出PWM信号时，控制芯片MCU的输入引脚通过监测MOS管Q1内阻压降以实现对驱动电流的监测。

在上述的一种过流保护电路中，所述监测电路还包括电容C1，电阻R2以及电阻R3，其中，电阻R3的一端连接二极管D1的正极，电阻R3的另一端通过电容C1接地，电阻R3连接二极管D1的一端还通过电阻R2连接工作电压。

在上述的一种过流保护电路中，PWM信号处于高电位时，电容C1放电；PMW信号处于低电位时，电容C1充电。

在上述的一种过流保护电路中，所述电容C1的充电时间常数大于PWM信号的周期。

在上述的一种过流保护电路中，MOS管Q1的栅极连接有电阻R1，并通过电阻R1连接控制芯片MCU，MOS管Q1的源极接地。

在上述的一种过流保护电路中，外接负载还连接有电源。

与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：

本实用新型提供的一种过流保护电路，通过控制芯片MCU发出周期性的PWM信号并实时通过AD引脚监测MOS管Q1的压降，AD引脚处的电压与MOS管Q1的压降呈正比，进而监测驱动电流的大小，整个过流保护电路结构简单，元器件少，制造成本低，且占用空间小，在实现过流保护的同时还能监测MOS管Q1是否短路，功能多样，实用性高。

附图说明

图1是本实用新型的电路结构示意图。

具体实施方式