[实用新型]一种过流保护电路

权利要求书

1.一种过流保护电路，其特征在于，包括：

MOS管Q1，MOS管Q1的漏极连接有外接负载；

监测电路，与MOS管Q1电连接，所述监测电路包括控制芯片MCU，其中，控制芯片MCU向MOS管Q1输出周期性的PWM信号，MOS管Q1根据周期性PWM信号产生相应的电压值，通过控制芯片MCU的输入引脚采集该电压值以监测外接负载工作时的驱动电流。

2.根据权利要求1所述的一种过流保护电路，其特征在于，所述监测电路包括二极管D1，所述控制芯片MCU的输入引脚与二极管D1的正极相连接，二极管D1的负极与MOS管Q1的漏极相连接，当控制芯片MCU输出PWM信号时，通过控制芯片MCU的输入引脚采集MOS管Q1的电压值以监测外接负载工作时的驱动电流。

3.根据权利要求2所述的一种过流保护电路，其特征在于，当控制芯片MCU输出PWM信号时，控制芯片MCU的输入引脚通过监测MOS管Q1内阻压降以实现对驱动电流的监测。

4.根据权利要求1所述的一种过流保护电路，其特征在于，所述监测电路还包括电容C1，电阻R2以及电阻R3，其中，电阻R3的一端连接二极管D1的正极，电阻R3的另一端通过电容C1接地，电阻R3连接二极管D1的一端还通过电阻R2连接工作电压。

5.根据权利要求4所述的一种过流保护电路，其特征在于，PWM信号处于高电位时，电容C1放电；PMW信号处于低电位时，电容C1充电。

6.根据权利要求5所述的一种过流保护电路，其特征在于，所述电容C1的充电时间常数大于PWM信号的周期。

7.根据权利要求1所述的一种过流保护电路，其特征在于，MOS管Q1的栅极连接有电阻R1，并通过电阻R1连接控制芯片MCU，MOS管Q1的源极接地。

8.根据权利要求1所述的一种过流保护电路，其特征在于，外接负载还连接有电源。