[实用新型]用于晶体生长装置的隔热保温件及晶体生长装置有效

专利信息
申请号: 202223449334.6 申请日: 2022-12-22
公开(公告)号: CN218989463U 公开(公告)日: 2023-05-09
发明(设计)人: 马俊杰;张华利;赵玉兵;周洁 申请(专利权)人: 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B29/06
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 黄德海
地址: 221000 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 用于 晶体生长 装置 隔热 保温
【说明书】:

实用新型公开了一种用于晶体生长装置的隔热保温件及晶体生长装置,晶体生长装置包括坩埚,用于晶体生长装置的隔热保温件设于坩埚外侧且沿坩埚的周向方向延伸,所述用于晶体生长装置的隔热保温件包括:隔热件,隔热件包括竖直段和上段,上段的一端与竖直段的上端连接,上段的另一端沿坩埚径向方向向内或向外延伸;保温件,保温件在坩埚的径向方向上与竖直段层叠设置,保温件与上段位于竖直段沿坩埚径向方向的同一侧,保温件位于上段的下方。根据本实用新型的用于晶体生长装置的隔热保温件,隔热效果好,阻挡了侧部加热器对坩埚下部分的热辐射,从而减少侧部加热器对坩埚的热辐射面积,从而降低单晶棒的氧含量。

技术领域

本实用新型涉及晶体生长技术领域,尤其涉及一种用于晶体生长装置的隔热保温件及晶体生长装置。

背景技术

直拉硅单晶中氧元素是最主要的杂质之一,热场中的氧元素主要来自于坩埚,坩埚中的氧原子在高温下会析出,所以降低坩埚的受热面积可以有效降低单晶棒的氧含量。目前的降低氧含量的方式主要通过缩短侧部加热器的宽幅和降低坩埚的高温区面积,以此来降低氧含量。但是这种方式产生的辐射热依然对坩埚中的氧的析出有促进作用。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本实用新型提出一种用于晶体生长装置的隔热保温件,所述用于晶体生长装置的隔热保温件隔热效果好,阻挡侧部加热器对坩埚下部分的热辐射,从而减少侧部加热器对坩埚的热辐射面积,从而降低单晶棒的氧含量。

本实用新型还提出了一种晶体生长装置,包括上述的用于晶体生长装置的隔热保温件

根据本实用新型实施例的用于晶体生长装置的隔热保温件,晶体生长装置包括坩埚,所述用于晶体生长装置的隔热保温件设于所述坩埚外侧且沿所述坩埚的周向方向延伸,所述用于晶体生长装置的隔热保温件包括:隔热件,所述隔热件包括竖直段和上段,所述上段的一端与所述竖直段的上端连接,所述上段的另一端沿所述坩埚径向方向向内或向外延伸;保温件,所述保温件在所述坩埚的径向方向上与所述竖直段层叠设置,所述保温件与所述上段位于所述竖直段沿所述坩埚径向方向的同一侧,所述保温件位于所述上段的下方。

根据本实用新型实施例的用于晶体生长装置的隔热保温件,通过设置隔热件和保温件,保温件在坩埚的径向方向上与竖直段层叠设置,保温件与上段位于竖直段沿坩埚径向方向的同一侧,保温件位于上段的下方。保温件和隔热件的相互配合,隔热效果好,阻挡了侧部加热器对坩埚下部分的热辐射,从而减少侧部加热器对坩埚的热辐射面积,从而降低单晶棒的氧含量。

在本实用新型的一些实施例中,所述隔热件还包括:下段,所述下段的一端与所述竖直段的下端连接,另一端沿所述坩埚的径向方向向内或向外延伸,所述下段与所述上段位于所述竖直段沿所述坩埚径向方向的同一侧,所述保温件位于所述上段和所述下段之间。

在本实用新型的一些实施例中,所述上段和所述下段的远离所述竖直段的一端均沿所述坩埚的径向方向向外延伸,所述保温件设于所述竖直段的沿所述坩埚径向方向的径向外侧。

在本实用新型的一些实施例中,所述晶体生长装置还包括设于所述坩埚外侧的保温桶,所述用于晶体生长装置的隔热保温件设于所述保温桶的内侧,所述隔热件上设有用于与所述保温桶连接的安装孔,所述保温桶上设有与所述安装孔配合的连接孔。

在本实用新型的一些实施例中,所述安装孔为圆孔或所述安装孔为沿上下方向延伸的条形孔;和/或,所述连接孔为沿上下方向延伸的条形孔。

在本实用新型的一些实施例中,所述隔热件为碳碳件或者石墨件。

在本实用新型的一些实施例中,所述保温件为固化毡。

在本实用新型的一些实施例中,所述隔热件和所述保温件均为环形。

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