[实用新型]一种具有迂回多孔介质流道的纳流体芯片

权利要求书

1.一种具有迂回多孔介质流道的纳流体芯片，其特征在于，包括：盖片和基片，所述盖片和所述基片通过封装的方式连接；所述基片开有三对通孔，每对通孔等间距分布，每对通孔为一个注气口和注油口，注气口和注油口位于基片同一侧面；基片表面设有三条多孔介质，每条多孔介质采取S形迂回的流道形式，每条多孔介质通过微通道连通注气口和注油口；三条多孔介质从上到下分别为纳米级孔隙型多孔介质、孔隙-裂缝型多孔介质和孔隙-裂缝-溶洞型多孔介质。

2.如权利要求1所述的一种具有迂回多孔介质流道的纳流体芯片，其特征在于，所述微通道宽度为200μm，深度为20μm。

3.如权利要求1所述的一种具有迂回多孔介质流道的纳流体芯片，其特征在于，所述每对通孔的位置对应于芯片夹具的流体接口。

4.如权利要求1所述的一种具有迂回多孔介质流道的纳流体芯片，其特征在于，所述盖片材质为硼硅玻璃，基片材质为硅晶。

5.如权利要求1所述的一种具有迂回多孔介质流道的纳流体芯片，其特征在于，所述纳米级孔隙型多孔介质内部包含大量纳米级孔隙和基质，所述孔隙-裂缝型多孔介质内部包含大量纳米级孔隙、基质和微米级裂缝；所述孔隙-裂缝-溶洞型多孔介质内部包含大量纳米级孔隙、基质、微米级裂缝和溶洞。

6.如权利要求5所述的一种具有迂回多孔介质流道的纳流体芯片，其特征在于，所述纳流体芯片中的基质通过湿法刻蚀得到，基质与孔隙直径比在1～3之间。

7.如权利要求6所述的一种具有迂回多孔介质流道的纳流体芯片，其特征在于，所述基质包括两种直径不同的基质颗粒，基质颗粒以阵列形式布满多孔介质内，不同基质之间形成纳米级孔隙。

8.如权利要求1所述的一种具有迂回多孔介质流道的纳流体芯片，其特征在于，所述纳米级孔隙深度为纳米级，直径为微米级。

9.如权利要求1所述的一种具有迂回多孔介质流道的纳流体芯片，其特征在于，纳流体芯片的尺寸为38.2mm*21.69mm*2mm。

10.如权利要求1所述的一种具有迂回多孔介质流道的纳流体芯片，其特征在于，所述多孔介质宽度为100μm～1000μm。