[实用新型]一种适用于高阻扩散的太阳能电池密栅结构有效
申请号: | 202223103386.8 | 申请日: | 2022-11-22 |
公开(公告)号: | CN218939694U | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 周宾客;王乃闯;张辉;赵海伟 | 申请(专利权)人: | 江苏龙恒新能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/04 |
代理公司: | 北京众泽信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11701 | 代理人: | 吕昕炜 |
地址: | 223802 江苏省宿迁*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 适用于 扩散 太阳能电池 结构 | ||
本实用涉及太阳能电池领域,且公开了一种适用于高阻扩散的太阳能电池密栅结构,其包括主栅线和副栅线,主栅线的厚度为140‑170um之间,主栅线的长度大于副栅线,电池分为四个相同规格的单电池,每个单电池的等宽度主栅线的宽度为其中,A单元总长,B是单元总宽,Rsubgt;b/subgt;是主栅线的薄层电阻,Jsubgt;mp/subgt;是最大功率点的电流密度,Vsubgt;mp/subgt;是最大功率点的电压,m的值等于3或4;副栅线的厚度为30‑40um之间。本实用电极的优化设计是从电极与副栅线宽度和扩散薄层电阻的配合来进行的,提出了高阻密栅的设计方向,通过在原有工艺的基础上进行改进,减少了由电极设计所引起的功率损失的同时提高了光电转换效率。
技术领域
本实用新型属于太阳能电池领域,具体为一种适用于高阻扩散的太阳能电池密栅结构。
背景技术
对于太阳能电池来说,为了获得尽可能高的光电转化效率,对电池的结构必须进行详细设计,金属栅线负责把电池体内的光生电流引到电池外部,太阳电池栅线的最优设计是以电池总功率损耗最小为依据的。
栅线结构设计得好,将使电池的串联电阻最小,从而使功率损耗最小,输出功率最大,这对最大面积功率输出的单体太阳能电池尤为重要。
实用新型内容
要解决的技术问题:现有太阳电池栅线结构设计存在一定问题,仍具有较大的提升空间。
技术方案:本实用新型提供了一种适用于高阻扩散的太阳能电池密栅结构,包括主栅线和副栅线,主栅线的厚度为140-170um之间,主栅线的长度大于副栅线,电池分为四个相同规格的单电池,每个单电池的等宽度主栅线的宽度为其中,A单元总长,B是单元总宽,Rb是主栅线的薄层电阻,Jmp是最大功率点的电流密度,Vmp是最大功率点的电压,m的值等于3或4;副栅线的厚度为30-40um之间。
进一步地,主栅线的薄层电阻Rb等于焊带电阻率除以厚度。
进一步地,当电极各部分线性逐渐变细时,m=4,当电极各部分线性均匀时,m=3。
进一步地,每两个单元电池共用一个主栅线,主栅线实际宽度等于WB的两倍。
进一步地,副栅线的栅线间距S无限接近于0。
进一步地,顶层横向电流总相对功率损耗为S为两条副栅线的间隔距离,副栅线的电阻相对功率损耗为主栅线电阻相对功率损耗为焊带电阻为Rf=金属体电阻率/副栅线厚度,Rb=焊带电阻率/厚度,主栅线和副栅线应选用低体电阻率的金属材料。
技术效果:
本实用电极的优化设计是从电极与副栅线宽度和扩散薄层电阻的配合来进行的,提出了高阻密栅的设计方向,通过在原有工艺的基础上进行改进,减少了由电极设计所引起的功率损失的同时提高了光电转换效率。
附图说明
附图用来提供对本实用新型的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的限制。在附图中:
图1为本实用新型的单电池的尺寸示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述;显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例,基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏龙恒新能源有限公司,未经江苏龙恒新能源有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202223103386.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的