[实用新型]一种窄带光电探测器

说明书

本实用新型公开了一种窄带光电探测器，包括F‑P型单腔窄带滤光膜层，F‑P型单腔窄带滤光膜层设置于光电探测器上，F‑P型单腔窄带滤光膜层的膜系结构为B|(LH)supgt;S/supgt;(a2L)(HL)supgt;S/supgt;|A或B|(HL)supgt;S/supgt;(a2H)(LH)supgt;S/supgt;|A，其中，A表示入射介质，B表示光电探测器，L、H分别代表低折射率材料和高折射率材料，单位厚度均为入射光中心波长的四分之一，S代表堆叠周期数，a代表干涉级次。本实用新型中，在光电探测器的结区表面沉积特定的F‑P型单腔窄带滤光膜层，实现窄带滤波的效果，以取代玻璃窄带滤光片，有利于集成化和系统体积的缩小，而且窄带波长可调，适用于目前大多数的平面型叠层无机半导体光电探测器。

技术领域

本实用新型属于光电探测器技术领域，具体涉及一种窄带光电探测器。

背景技术

光电探测器是指半导体材料受光激发产生电子空穴对，在PN结的电场作用下经过漂移和扩散作用形成光生电流的光电半导体器件。光电探测器的探测波长范围通常和材料体系相关，例如硅材料的光电探测器通常探测范围在400-1100nm，锗材料的光电探测器探测范围在800-1800nm。在实际使用过程中，为准确探测对应波长光的光功率，光电探测器通常需要配备对应的玻璃窄带滤光片来避免其他波长光的影响，而玻璃窄带滤光片无疑增加了探测器的整体体积。因此，本实用新型提供了一种窄带光电探测器，取代现有玻璃窄带滤光片实现了窄带滤波的效果。

实用新型内容

为解决现有技术中存在的技术问题，本实用新型的目的在于提供一种窄带光电探测器。

为实现上述目的，达到上述技术效果，本实用新型采用的技术方案为：

一种窄带光电探测器，包括F-P型单腔窄带滤光膜层，所述F-P型单腔窄带滤光膜层设置于光电探测器上，所述F-P型单腔窄带滤光膜层的膜系结构为B|(LH)^S(a2L)(HL)^S|A或B|(HL)^S(a2H)(LH)^S|A，其中，A表示入射介质，B表示光电探测器，L、H分别代表低折射率材料和高折射率材料，单位厚度为入射光中心波长λ的四分之一，S代表堆叠周期数，a代表干涉级次。

进一步的，所述低折射率材料为MgF₂，所述高折射率材料为ZnS。

进一步的，所述低折射率材料为SiO₂，所述高折射率材料为TiO₂。

进一步的，S的取值范围为2-7，不包括2和7。

进一步的，所述光电探测器采用无机半导体材料，其结构为同质结或异质结，表面为平面结构。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果为：

本实用新型公开了一种窄带光电探测器，包括F-P型单腔窄带滤光膜层，F-P型单腔窄带滤光膜层设置于光电探测器上，F-P型单腔窄带滤光膜层的膜系结构为B|(LH)S(a2L)(HL)S|A或B|(HL)S(a2H)(LH)S|A，其中，A表示入射介质，B表示光电探测器，L、H分别代表低折射率材料和高折射率材料，单位厚度均为入射光中心波长的四分之一，S代表堆叠周期数，a代表干涉级次。本实用新型中，在光电探测器结区表面沉积特定的F-P型单腔窄带滤光膜层，实现窄带滤波的效果，以取代玻璃窄带滤光片，有利于集成化和系统体积的缩小，而且窄带波长可调，适用于目前大多数的平面型叠层无机半导体光电探测器。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型实施例1的透射光谱图；

图3为本实用新型实施例2的透射光谱图。

具体实施方式