[实用新型]单晶硅生长炉

说明书

本实用新型公开了一种单晶硅生长炉，单晶硅生长炉包括第一壳体、第二壳体、坩埚组件、加热组件、保温组件、第一驱动机构、晶体提拉机构和保护气连接管，第一壳体具有晶体生长室、拉晶室和隔离室，第二壳体罩设于第一壳体外，且与第一壳体之间形成安装腔，坩埚组件设于晶体生长室，加热组件设于安装腔，保温组件设于安装腔且罩设于加热组件外，第一驱动机构设在第一壳体的底部以支撑和驱动第一壳体相对第二壳体转动，晶体提拉机构固设于隔离室内且适于跟随第一壳体同步转动，保护气连接管穿设于隔离室且连通至拉晶室。根据本实用新型实施例的单晶硅生长炉，可以延长加热组件的使用寿命，且便于简化单晶硅生长炉顶部结构的复杂度。

技术领域

本实用新型涉及晶体生长技术领域，尤其是涉及一种单晶硅生长炉。

背景技术

相关技术中，为了实现对坩埚组件内的硅料的加热，通常在坩埚组件的侧面设置加热组件，在长晶的过程中，熔汤表面会挥发SiO气体，遇到冷的炉壁会凝结成微粒，这些微粒有可能掉落污染熔汤；因此，在长晶的过程中需要从单晶硅生长炉的顶部向炉内通入保护气比如氩气，氩气可以带走SiO气体，同时也可以带走SiO与石墨元件反应产生的CO气体，避免CO融入熔汤内污染晶体。

然而，SiO气体、CO气体与加热组件直接接触，这些气体在跟随保护气向外排出的过程中，会对加热组件产生腐蚀，严重影响侧加热组件的使用寿命。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本实用新型提出一种单晶硅生长炉，所述单晶硅生长炉可以延长加热组件的使用寿命，且便于简化单晶硅生长炉顶部结构的复杂度。

根据本实用新型实施例的单晶硅生长炉，包括：第一壳体，所述第一壳体具有晶体生长室、拉晶室和隔离室，所述拉晶室连通于所述晶体生长室的顶侧，所述隔离室连通于所述拉晶室的顶侧；第二壳体，所述第二壳体罩设于所述第一壳体外，且与所述第一壳体之间形成安装腔；坩埚组件，所述坩埚组件设于所述晶体生长室；加热组件，所述加热组件设于所述安装腔且用于对所述坩埚组件加热；保温组件，所述保温组件设于所述安装腔且罩设于所述加热组件外；第一驱动机构，所述第一驱动机构设在所述第一壳体的底部以支撑和驱动所述第一壳体相对所述第二壳体转动；晶体提拉机构，所述晶体提拉机构固设于所述隔离室内且适于伸入所述拉晶室以用于提拉晶体，所述晶体提拉机构适于跟随所述第一壳体同步转动；保护气连接管，所述保护气连接管穿设于所述隔离室且连通至所述拉晶室。

根据本实用新型实施例的单晶硅生长炉，通过设置第二壳体罩设于第一壳体外、加热组件设于第一壳体和第二壳体之间，而保护气连接管连通至第一壳体内，使得第一壳体将长晶所需的环境空间与加热组件所处空间分隔开，避免晶体生长室和拉晶室内的挥发气体与加热组件接触而腐蚀加热组件，保证加热组件的正常工作，从而延长加热组件的使用寿命；且通过设置第一驱动机构，以实现第一壳体和晶体提拉机构的同步转动，从而实现晶体的转动，便于简化单晶硅生长炉顶部结构的复杂度。

在一些实施例中，所述第一壳体包括：主体部，所述主体部包括自上向下依次设置的第一上壳、导热壳体和第一下壳，所述拉晶室形成于所述第一上壳，所述导热壳体、所述第一下壳和所述第一上壳的部分共同限定出所述晶体生长室，所述导热壳体围绕所述坩埚组件设置且位于所述坩埚组件和所述加热组件之间，所述导热壳体为碳-碳复合材料件，所述加热组件的上端不高于所述导热壳体的上端，且所述加热组件的下端不低于所述导热壳体的下端；隔离罩，所述隔离罩与所述第一上壳为一体件，所述隔离罩罩设所述第一上壳的外侧，且所述隔离罩的底壁与所述第二壳体的顶壁可转动地连接，所述隔离罩与所述第一上壳限定出与外界空间分割开的所述隔离室。

在一些实施例中，所述单晶硅生长炉还包括：冷却组件，所述晶体生长室和所述拉晶室之间设有连通室，以连通所述晶体生长室和所述拉晶室，所述冷却组件一体成型于所述连通室的腔壁且向下伸入所述晶体生长室以用于对晶体进行冷却。