[实用新型]一种光伏电池及光伏组件有效
| 申请号: | 202222744085.7 | 申请日: | 2022-10-18 |
| 公开(公告)号: | CN218769552U | 公开(公告)日: | 2023-03-28 |
| 发明(设计)人: | 薛建锋;廖劼;苏世杰 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(成都)有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/054 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 吕露 |
| 地址: | 610000 四川省成都市双流*** | 国省代码: | 四川;51 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 电池 组件 | ||
本申请涉及光伏技术领域,具体而言,涉及一种光伏电池及光伏组件。光伏电池,包括:电池基体以及位于电池基体的表面的栅线结构。栅线结构包括铜基层以及锡保护层;铜基层设置于电池基体上,锡保护层覆盖于铜基层的远离电池基体的表面;锡保护层的远离铜基层的一面朝向远离电池基体的方向凸设。本申请提供的光伏电池有利于使得入射至栅线结构的表面的光可以被有效反射至电池基体的表面,有利于避免造成短路电流损失,进而有利于提高光伏电池的光电转化效率。
技术领域
本申请涉及光伏技术领域,具体而言,涉及一种光伏电池及光伏组件。
背景技术
传统工艺中,一般采用将银浆丝网印刷在光伏电池的P面和N面,以形成栅线结构。而银浆的成本较高,为了降低形成栅线结构的成本,目前的工艺是先在光伏电池的表面沉积铜种子金属层,再在铜种子金属层上电镀形成铜栅线基体,最后再在铜栅线基体的表面化学置换电镀形成覆盖于铜栅线基体表面的锡保护层。
发明人发现,现有的栅线结构沿光伏电池厚度方向的截面呈矩形,即栅线结构的表面为平面结构,这会导致入射至栅线结构的表面的光大部分都会被栅线结构的表面直接反射出去而无法被光伏电池的表面吸收,进而造成短路电流损失,不利于提高光伏电池的光电转化效率。
实用新型内容
本申请的目的在于提供一种光伏电池及光伏组件,其旨在有效降低光伏电池的短路电流损失。
第一方面,本申请提供一种光伏电池,包括:电池基体以及位于电池基体的表面的栅线结构。
栅线结构包括铜基层以及锡保护层;铜基层设置于电池基体上,锡保护层覆盖于铜基层的远离电池基体的表面;锡保护层的远离铜基层的一面朝向远离电池基体的方向凸设。
本申请通过设置位于电池基体上的铜基层和锡保护层形成栅线结构,锡保护层可以有效保护铜基层以利于避免铜基层被氧化,进而有利于保证铜基层内收集的载流子可以有效传输。锡保护层的远离铜基层的一面朝向远离电池基体的方向凸设,有利于使得入射至栅线结构的表面的光可以被有效反射至电池基体的表面,有利于避免造成短路电流损失,进而有利于提高光伏电池的光电转化效率。
在本申请第一方面的一些实施例中,锡保护层的远离铜基层的一面为弧面。
锡保护层的远离铜基层的一面为弧面,有利于进一步使得入射至栅线结构的表面的光可以被有效反射至电池基体的表面,有利于避免造成短路电流损失,进而有利于提高光伏电池的光电转化效率。
在本申请第一方面的一些实施例中,铜基层的远离电池基体的一面朝向远离电池基体的方向凸设。
由于锡保护层覆盖于铜基层的远离电池基体的表面,上述设置方式,有利于锡保护层在制备形成时更容易形成“锡保护层的远离铜基层的一面朝向远离电池基体的方向凸设”的结构。
在本申请第一方面的一些实施例中,铜基层的远离电池基体的一面为弧面。
上述设置方式,有利于锡保护层在制备形成时更容易形成“锡保护层的远离铜基层的一面为弧面”的结构,进而有利于进一步使得入射至栅线结构的表面的光可以被有效反射至电池基体的表面。
在本申请第一方面的一些实施例中,锡保护层的远离铜基层的一面以及铜基层的远离电池基体的一面的弧度各自独立地为π/6-π/3。
上述设置方式,有利于进一步使得入射至栅线结构的表面的光可以被有效反射至电池基体的表面,有利于避免造成短路电流损失,进而有利于提高光伏电池的光电转化效率。
在本申请第一方面的一些实施例中,栅线结构还包括银底层,银底层设置于电池基体上,铜基层覆盖于银底层远离电池基体的表面。
银底层的设置,进一步提高整个栅线结构的导电性,进而有利于栅线结构收集的载流子的传输。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于通威太阳能(成都)有限公司,未经通威太阳能(成都)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202222744085.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





