[实用新型]一种偏钒酸铵制备高纯五氧化二钒的装置

权利要求书

1.一种偏钒酸铵制备高纯五氧化二钒的装置，包括底座（1）、煅烧室（2）和拉门（3），其特征在于：所述底座（1）的顶端安装有煅烧室（2）；

所述煅烧室（2）内部的底端安装有电热管（7），所述煅烧室（2）的内部设置有保温结构（8），所述煅烧室（2）内部的顶端设置有监测机构（5）；

所述煅烧室（2）的一侧活动安装有拉门（3），所述拉门（3）的外侧设置有压紧结构（4），所述压紧结构（4）包括定位杆（401）、压板（402）以及压紧栓（403），所述定位杆（401）安装于煅烧室（2）的一侧，所述定位杆（401）的表面设置有压板（402），所述压板（402）的内部设置有压紧栓（403），所述煅烧室（2）的另一侧安装有排烟管道（6）。

2.根据权利要求1所述的一种偏钒酸铵制备高纯五氧化二钒的装置，其特征在于：所述定位杆（401）的横截面大小于压板（402）的横截面，所述定位杆（401）与压板（402）构成可转动结构。

3.根据权利要求1所述的一种偏钒酸铵制备高纯五氧化二钒的装置，其特征在于：所述压板（402）的内部设置有内螺纹，所述压紧栓（403）的表面设置有外螺纹，所述压板（402）与压紧栓（403）通过螺纹相连接。

4.根据权利要求1所述的一种偏钒酸铵制备高纯五氧化二钒的装置，其特征在于：所述监测机构（5）包括安装架（501）、红外温度传感器（502）以及控制盒（503），所述安装架（501）安装于煅烧室（2）内部的顶端，所述安装架（501）的底端设置有红外温度传感器（502），所述控制盒（503）安装于煅烧室（2）的顶端。

5.根据权利要求4所述的一种偏钒酸铵制备高纯五氧化二钒的装置，其特征在于：所述安装架（501）底端的横截面大于红外温度传感器（502）的横截面，所述安装架（501）与红外温度传感器（502）构成可拆卸结构。

6.根据权利要求1所述的一种偏钒酸铵制备高纯五氧化二钒的装置，其特征在于：所述保温结构（8）包括内腔（801）、保温棉（802）以及盖板（803），所述内腔（801）设置于煅烧室（2）的内部，所述内腔（801）的内部设置有保温棉（802），所述内腔（801）的一侧安装有盖板（803）。

7.根据权利要求6所述的一种偏钒酸铵制备高纯五氧化二钒的装置，其特征在于：所述内腔（801）的横截面大于保温棉（802）的横截面，所述内腔（801）与保温棉（802）构成卡合结构。