[实用新型]晶圆检测系统有效
申请号: | 202222292391.1 | 申请日: | 2022-08-30 |
公开(公告)号: | CN217605699U | 公开(公告)日: | 2022-10-18 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 苏州高视半导体技术有限公司 |
主分类号: | G01N21/95 | 分类号: | G01N21/95;G01N21/01 |
代理公司: | 北京维昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11804 | 代理人: | 李波;孙新国 |
地址: | 215153 江苏省苏州市高新区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检测 系统 | ||
本申请是关于一种晶圆检测系统。该系统包括:照明装置、探测装置以及载物台;照明装置包括明场照明装置以及暗场照明装置;探测装置中设有明场探测器以及暗场探测器;载物台上放置有待测晶圆;明场探测器的进光端设有第一滤光片,第一滤光片用于滤出待测晶圆的第一反射光线,第一反射光线为明场照明装置的光线照射在待测晶圆上反射的光线;暗场探测器的进光端设有第二滤光片,第二滤光片用于滤出待测晶圆的第二反射光线,第二反射光线为暗场照明装置的光线照射在待测晶圆上反射的光线。本申请提供的方案,能够同时对晶圆进行明场成像和暗场成像,满足晶圆缺陷检测的需求。
技术领域
本申请涉及晶圆检测技术领域,尤其涉及晶圆检测系统。
背景技术
据统计,未来几年内全球SiC和GaN晶圆器件市场将保持高增速。其中,以5G基建、新能源汽车充电桩、轨道交通及特高压等应用场景尤为显著,以GaN为核心的射频半导体,支撑着5G基站建设,以SiC为核心的功率半导体,支撑着新能源汽车充电桩、特高压以及轨道交通系统的建设。因此,对于SiC和GaN晶圆器件的质量要求越来越高,对于晶圆的检测需求也日益提升。
在现有技术中,基于微分干涉对晶圆进行检测的解决方案只能实现明场的图像成像,但是在晶圆检测中也会存在需要利用暗场图像来进行检测的缺陷,因此,需要设计一种能够同时对晶圆进行明场成像和暗场成像的检测系统,以能够满足晶圆缺陷检测的需求。
实用新型内容
为克服相关技术中存在的问题,本申请提供一种晶圆检测系统,该晶圆检测系统,能够同时对晶圆进行明场成像和暗场成像,满足晶圆缺陷检测的需求。
本申请提供一种晶圆检测系统,包括:
照明装置1、探测装置2以及载物台3;
照明装置1包括明场照明装置11以及暗场照明装置12;
探测装置2中设有明场探测器21以及暗场探测器22;
载物台3上放置有待测晶圆31;
明场探测器21的进光端设有第一滤光片23,第一滤光片23用于滤出待测晶圆31的第一反射光线,第一反射光线为明场照明装置11的光线照射在待测晶圆31上反射的光线;
暗场探测器22的进光端设有第二滤光片24,第二滤光片24用于滤出待测晶圆31的第二反射光线,第二反射光线为暗场照明装置12的光线照射在待测晶圆31上反射的光线。
在一种实施方式中,探测装置2包括第一光线传输通道25以及第二光线传输通道26;
第一光线传输通道25的一端设有微分干涉棱镜27以及显微物镜28,另一端设有明场探测器21;
第二光线传输通道26的一端与第一光线传输通道25的通道侧壁的连通,另一端设有暗场探测器22。
在一种实施方式中,明场照明装置11包括LED光源111、透镜组112以及第三光线传输通道113;
透镜组112的一端设有LED光源111,透镜组112用于将LED光源111整形为第一输入光源,第一输入光源为发散角为11°的光源;
透镜组112的另一端与第三光线传输通道113的一端连通;
第三光线传输通道113的另一端与第一光线传输通道25的通道侧壁连通,使得第一输入光源能够通过第三光线传输通道113传输至第一光线传输通道25中。
在一种实施方式中,透镜组112的另一端与第三光线传输通道113的一端垂直连通;
透镜组112与第三光线传输通道113的连通位置处设有光源反光镜114;
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