[实用新型]一种防下沉炉底结构和单晶炉

说明书

本实用新型提供一种防下沉炉底结构，包括石墨毡保温层，所述石墨毡保温层上部设有护盘压片，所述石墨毡保温层下部设有固化毡保温层，所述固化毡保温层铺设在单晶炉底，所述护盘压片和石墨毡保温层设置在下保温筒内侧，所述固化毡保温层设置在所述下保温筒底部，用于支撑所述下保温筒。本实用新型还提供一种设有该防下沉炉底结构的单晶炉。本实用新型的有益效果是提高了单晶炉底部保温层的稳固性，保证单晶炉热场在工作过程中不会下沉，使单晶在拉制过程中受热均匀，提高了单晶的质量。

技术领域

本实用新型属于单晶炉技术领域，尤其是涉及一种防下沉炉底结构和单晶炉。

背景技术

直拉法生长单晶硅是目前生产单晶硅最广泛的应用技术，单晶炉是一种在惰性气体(氮气、氦气为主)环境中,用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生长无错位单晶的设备。

由于石墨毡导热率低，在现有技术中，如图1所示，单晶炉底部铺设石墨毡保温层用于保温。石墨毡保温层上部放置护盘压片，支撑下保温筒，从而实现对单晶炉热场的支撑。由于石墨毡保温层直接受力，且压缩比较大，很容易出现下沉的现象，导致单晶炉体内整体热场不均匀下沉，热场高度不统一，出现歪斜不水平，单晶在拉制过程中，受热不均，影响单晶质量。

实用新型内容

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种防下沉炉底结构，有效的解决了单晶炉热场下沉的问题，克服了现有技术的不足。

本实用新型采用的技术方案是：一种防下沉炉底结构，包括石墨毡保温层，所述石墨毡保温层上部设有护盘压片，所述石墨毡保温层下部设有固化毡保温层，所述固化毡保温层铺设在单晶炉底，所述护盘压片和石墨毡保温层设置在下保温筒内侧，所述固化毡保温层设置在所述下保温筒底部，用于支撑所述下保温筒。

进一步，所述固化毡保温层上部与所述下保温筒底部的接触处设有支撑环。

进一步，所述支撑环的宽度大于所述下保温筒的厚度。

进一步，所述固化毡保温层上部设有第一凹槽，用于放置所述支撑环。

进一步，所述第一凹槽的深度与所述支撑环的高度相同。

进一步，所述支撑环顶部设有第二凹槽，用于放置所述下保温筒。

进一步，所述第二凹槽的宽度与所述下保温筒的厚度相同。

进一步，所述护盘压片与所述石墨毡保温层的直径相同。

进一步，所述石墨毡保温层的高度大于所述固化毡保温层的高度。

本实用新型还提供一种单晶炉，底部设置如上任一所述的防下沉炉底结构。

本实用新型具有的优点和积极效果是：由于采用上述技术方案，提高了单晶炉底部保温层的稳固性，保证单晶炉热场在工作过程中不会下沉，使单晶在拉制过程中受热均匀，提高了单晶的质量。

附图说明

图1是现有技术的炉底结构示意图。

图2是本实用新型实施例一种防下沉炉底结构示意图。

图3是本实用新型实施例一种防下沉炉底结构局部放大图。

图4是本实用新型实施例一种防下沉炉底结构局部放大图。

图5是本实用新型实施例一种防下沉炉底结构局部放大图。

图6是本实用新型实施例一种防下沉炉底结构固化毡保温层俯视图。

图7是本实用新型实施例一种防下沉炉底结构支撑环俯视图。

图中：

10、石墨毡保温层 20、护盘压片 30、支撑环