[实用新型]一种背结太阳能电池、光伏组件和电站

权利要求书

1.一种背结太阳能电池，其特征在于，包括：

硅基体(1)；

间隔设置于所述硅基体(1)的正面且与所述正面直接接触的多个局部第一隧穿氧化层(2)以及多个局部第一钝化减反层(3)，其中，所述局部第一钝化减反层(3)与所述局部第一隧穿氧化层(2)交替设置；

层叠于每一个所述局部第一隧穿氧化层(2)上的局部第一掺杂多晶硅层(4)，形成前表面场；

与所述前表面场电连接的正面电极(5)；

间隔设置于所述硅基体(1)的背面上的多个局部第二隧穿氧化层(6)以及多个局部第二钝化减反层(7)，其中，所述局部第二钝化减反层(7)与所述局部第二隧穿氧化层(6)交替设置；

层叠于每一个所述局部第二隧穿氧化层(6)上的局部第二掺杂多晶硅层(8)，形成背面PN结；

与所述背面PN结电连接的背面电极(9)。

2.根据权利要求1所述的背结太阳能电池，其特征在于，

所述局部第一钝化减反层(3)延伸至其所相邻的局部第一隧穿氧化层(2)的侧面以及局部第一掺杂多晶硅层(4)的侧面，以遮盖其所相邻的局部第一隧穿氧化层(2)的侧面以及局部第一掺杂多晶硅层(4)的侧面；

和/或，

所述局部第二钝化减反层(7)延伸至其所相邻的局部第二隧穿氧化层(6)的侧面以及局部第二掺杂多晶硅层(8)的侧面，以遮盖其所相邻的局部第二隧穿氧化层(6)的侧面以及局部第二掺杂多晶硅层(8)的侧面。

3.根据权利要求1所述的背结太阳能电池，其特征在于，

所述正面电极(5)包括：多条正面细栅(51)以及与所述多条正面细栅(51)交叉设置的多条正面主栅(52)，其中，

每一条所述正面细栅(51)与其所对应的前表面场电连接；

每一条所述正面主栅(52)与多条所述正面细栅(51)电连接，以收集所述正面细栅(51)的电流；

所述背面电极(9)包括：多条背面细栅(91)以及与所述多条背面细栅(91)交叉设置的多条背面主栅(92)，其中，

每一条所述背面细栅(91)与其所对应的背面PN结电连接；

每一条所述背面主栅(92)与多条所述背面细栅(91)电连接，以收集所述背面细栅(91)的电流；

所述背面细栅(91)的条数大于所述正面细栅(51)的条数，且所述背面主栅(92)的条数等于所述正面主栅(52)的条数。

4.根据权利要求1所述的背结太阳能电池，其特征在于，

所述正面电极(5)的宽度小于或等于所述局部第一隧穿氧化层(2)的宽度以及所述局部第一掺杂多晶硅层(4)的宽度，且所述局部第一隧穿氧化层(2)的宽度大于或等于所述局部第一掺杂多晶硅层(4)的宽度；

和/或，

所述背面电极(9)的宽度小于或等于所述局部第二隧穿氧化层(6)的宽度以及所述局部第二掺杂多晶硅层(8)的宽度，且所述局部第二隧穿氧化层(6)的宽度大于或等于所述局部第二掺杂多晶硅层(8)的宽度。

5.根据权利要求4所述的背结太阳能电池，其特征在于，

在所述正面电极(5)的宽度小于所述局部第一掺杂多晶硅层(4)的宽度的情况下，所述局部第一钝化减反层(3)经过其所相邻的局部第一隧穿氧化层(2)的侧面延伸至局部第一掺杂多晶硅层(4)上未被所述正面电极(5)遮盖的区域；

和/或，

在所述背面电极(9)的宽度小于所述局部第二掺杂多晶硅层(8)的宽度的情况下，所述局部第二钝化减反层(7)经过其所相邻的局部第二隧穿氧化层(6)的侧面延伸至局部第二掺杂多晶硅层(8)上未被所述背面电极(9)遮盖的区域。

6.根据权利要求1所述的背结太阳能电池，其特征在于，

所述正面电极(5)是由金属银浆制成；

和/或，

所述背面电极(9)是由金属银浆或者金属银铝浆制成。

7.根据权利要求1所述的背结太阳能电池，其特征在于，

所述局部第一隧穿氧化层(2)的厚度为0.5nm～3nm；

和/或，

所述局部第二隧穿氧化层(6)的厚度为0.5nm～3nm。