[实用新型]一种低温漂系数振荡器电路

说明书

本说明书实施例提供一种低温漂系数振荡器电路，包括：第一充放电电容CL和第二充放电电容CR分别并联在锁存器电路的第一输入端，第一电流导向开关及第二电流导向开关的电流输入端均连接在偏置电流产生电路的电流输出端，第一电流导向开关和第二电流导向开关的电流输入端分别接至锁存器电路的第一输入端和第二输入端，第一电流导向开关和第二电流导向开关的受控输入端分别连接至第二缓冲器和第一缓冲器的输出端，第一缓冲器和第二缓冲器的输入端分别接至锁存器的第一输出端和第二输出端，第一缓冲器和第二缓冲器的输出端还用于输出互补的第一方波信号CKB和第二方波信号CK，具有利用标准CMOS工艺实现的片上振荡器，降低生产成本的优点。

技术领域

本说明书涉及模拟集成电路领域，特别涉及一种低温漂系数振荡器电路。

背景技术

振荡器是许多电子系统不可缺少的模块，应用范围从微处理器中的时钟产生电路到无线通信系统中的载波合成。目前较常用的振荡器是石英晶体振荡器，其特点是性能稳定，工艺偏差小，温度系数低。由于石英晶体振荡器采用了石英晶体，使得它不能与标准CMOS工艺相兼容，这将增加制造成本。

因此，需要提供一种低温漂系数振荡器电路，用于利用标准CMOS工艺实现的片上振荡器来取代片外的石英晶体振荡器，降低生产成本。

实用新型内容

本说明书实施例之一提供一种低温漂系数振荡器电路，包括：锁存器电路、偏置电流产生电路、第一电流导向开关、第二电流导向开关、第一充电电容CL及第二充电电容CR，所述第一充放电电容CL并联在所述锁存器电路的第一输入端，所述第二充放电电容CR并联在所述锁存器电路的第二输入端，所述第一电流导向开关及所述第二电流导向开关的电流输入端均连接在所述偏置电流产生电路的电流输出端，所述第一电流导向开关和所述第二电流导向开关的电流输入端分别接至所述锁存器电路的第一输入端和第二输入端，所述第一电流导向开关和所述第二电流导向开关的受控输入端分别连接至第二缓冲器和第一缓冲器的输出端，所述第一缓冲器和所述第二缓冲器的输入端分别接至所述锁存器的第一输出端和第二输出端，所述第一缓冲器和所述第二缓冲器的输出端还用于输出互补的第一方波信号CKB和第二方波信号CK。

在一些实施例中，所述锁存器电路包括第一NMOS晶体管M0、第二NMOS晶体管M1、第一PMOS晶体管M2、第二PMOS晶体管M3、第一反相器I0和第二反相器I1；所述第一NMOS晶体管M0的栅极和所述第二NMOS晶体管M1的栅极构成所述锁存器电路的两个互补输入端INL和INR，所述第一NMOS晶体管M0的漏极和所述第二NMOS晶体管M1的漏极构成所述锁存器电路的两个互补输出端X0和X1，所述第一NMOS晶体管M0的源极和所述第二NMOS晶体管M1的源极均接地；所述第一PMOS晶体管M2的源极和所述第二PMOS晶体管M3的源极均接至电源VDD，所述第二PMOS晶体管M3的栅极接至所述第一PMOS晶体管M2的漏极X0，所述第一PMOS晶体管M2的栅极接至所述第二PMOS晶体管M3的漏极X1，所述第一NMOS晶体管M0的漏极电连接至所述第一PMOS晶体管M2的漏极X0，所述第二NMOS晶体管M1的漏极电连接至所述第二PMOS晶体管M3的漏极X1。

在一些实施例中，所述第一电流导向开关包括第四PMOS晶体管M7和第四NMOS晶体管M6，所述第四PMOS晶体管M7的源极与所述偏置电流产生电路的电流输出端电连接，所述第四PMOS晶体管M7的栅极和所述第四NMOS晶体管M6的栅极均与第二CMOS缓冲器I2的输出端电连接，所述第四PMOS晶体管M7的漏极与所述第四NMOS晶体管M6的漏极电连接，所述第四PMOS晶体管M7的漏极与所述第四NMOS晶体管M6的漏极的结点INL与所述第一NMOS晶体管M0的栅极电连接，所述第一充电电容CL的其中一个极板与所述结点INL电连接，所述第一充电电容CL的另一个极板接地。