[实用新型]一种石英晶片去污装置有效

专利信息
申请号: 202221741074.7 申请日: 2022-07-08
公开(公告)号: CN217797654U 公开(公告)日: 2022-11-15
发明(设计)人: 屈明明;朱国师;朱宇凡;温从众 申请(专利权)人: 马鞍山恒明电子科技有限公司
主分类号: B08B3/02 分类号: B08B3/02;B08B13/00;B08B15/04;H01L21/67
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 243000 安徽省马鞍山市慈湖高新区*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 石英 晶片 去污 装置
【说明书】:

本实用新型涉及石英晶片去污技术领域,且公开了一种石英晶片去污装置,包括主体机构和去污机构,主体机构包括框架、污水箱、水箱、水枪、污水盖;去污机构包括电机,电机下方活动连接有转轴,转轴两侧固定连接有支撑板,支撑板左右两侧活动连接有定位板,转轴两侧设置有夹具。该石英晶片去污装置,通过将石英晶片放置在夹具内部的卡槽内,然后将夹具卡合在定位板和支撑板内壁,然后通过螺钉固定定位板,然后打开电机和水枪,电机旋转带动转轴旋转,然后带动支撑板和支撑板内壁的夹具旋转,水枪对旋转的夹具进行冲洗,然后冲洗的污水落入污水箱,然后打开污水盖,对污水进行收集处理,到达通过冲洗的方式对石英晶片进行清洗的效果。

技术领域

本实用新型涉及石英晶片去污技术领域,具体为一种石英晶片去污装置。

背景技术

石英晶片是电子元器件中最为重要的元件,石英晶片在生产流程中需要经过多道处理工序,而制取的石英晶片在加工过程中会对石英晶片表面进行污染,需要对石英晶片表面进行清理;

根据中国专利公开号CN214022286U公开的一种石英晶片生产用清洗装置,通过设置晶片清洗槽、液压升降旋转贴合清洗机构,液压升降旋转贴合清洗机构设置在晶片清洗槽的内腔和顶部,液压泵的底部固定连接有减速电机,减速电机的底部中心通孔处活动连接有输出转轴,可在石英晶片之间不会发生碰撞损坏情况下对其外表面的尘土和杂质;

但是,上述装置存在对石英晶片进行浸泡清洗会导致清洗不干净的问题,为此我们提出一种石英晶片去污装置,来解决现有去污装置会对石英晶体表面进行浸泡清洗不干净的问题。

实用新型内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种石英晶片去污装置,具备可以通过冲洗的方式对石英晶片进行清洗等优点,解决了上述背景技术中提到现有对石英晶片进行浸泡清洗会导致清洗不干净的问题。

(二)技术方案

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种石英晶片去污装置,包括主体机构,所述主体机构内部设置有去污机构;

所述主体机构包括框架,所述框架下方固定连接有污水箱,所述框架上方前后两侧设置有水箱,所述水箱下方活动连接有水枪,所述框架后方活动连接有污水盖;

所述去污机构包括电机,所述电机下方活动连接有转轴,所述转轴两侧固定连接有支撑板,所述支撑板左右两侧活动连接有定位板,所述转轴两侧设置有夹具。

通过将石英晶片放置在夹具内部的卡槽内,然后将夹具卡合在定位板和支撑板内壁,然后通过螺钉固定定位板,然后打开电机和水枪,电机旋转带动转轴旋转,然后带动支撑板和支撑板内壁的夹具旋转,水枪对旋转的夹具进行冲洗,然后冲洗的污水落入污水箱,然后打开污水盖,对污水进行收集处理,到达通过冲洗的方式对石英晶片进行清洗的效果。

优选的,所述水箱和水枪有两组,两组所述水枪上方活动连接水管下方,两组所述水箱下方活动连接水管上方。

水箱和水枪有两组,两组水枪上方活动连接水管下方,两组水箱下方活动连接水管上方,水枪内部为现有技术,通过水箱连接水管在连接水枪,通过水枪对去污机构进冲洗。

优选的,所述框架上方开设有圆形安装孔,所述电机下方固定连接框架上方开设的圆形安装孔内。

框架上方开设有圆形安装孔,电机下方活动连接框架上方开设的圆形安装孔内,电机内部为现有技术,增加结构的稳定性。

优选的,所述转轴上方和侧面分别开设有两个圆形孔,所述电机侧面下方开设有螺纹孔,所述电机下方贯穿转轴上方的圆形孔并延伸至转轴内底壁,所述转轴侧面开设的圆形孔螺钉穿插电机侧面下方开设的螺纹孔内。

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