[实用新型]一种四氯化硅输送系统有效
| 申请号: | 202221734802.1 | 申请日: | 2022-07-07 |
| 公开(公告)号: | CN217894433U | 公开(公告)日: | 2022-11-25 |
| 发明(设计)人: | 彭中;李作国;杜炳胜;汪云清;杨强;鲁焕平;王大和 | 申请(专利权)人: | 云南通威高纯晶硅有限公司 |
| 主分类号: | B65G53/06 | 分类号: | B65G53/06;B65G53/34;B65G53/58;B65G53/36 |
| 代理公司: | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人: | 王艳平 |
| 地址: | 678100 云*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 氯化 输送 系统 | ||
本实用新型公开了一种四氯化硅输送系统,属于多晶硅生产中输送设备技术领域,包括一级缓冲罐和二级缓冲罐,一级缓冲罐通过管线I连接二级缓冲罐,管线I上设有输送泵I,所述一级缓冲罐连接有四氯化硅进料管线、氢气管线I和废气管I,所述二级缓冲罐上连接有氢气管线II、废气管II和四氯化硅排放管线,四氯化硅排放管线上设有输送泵II,解决了现有技术中多晶硅生产工艺的冷氢化工段的原料四氯化硅的输送系统,涉及的设备成本较高、投资量大,且系统运行效率较低,运行成本高的问题。
技术领域
本实用新型属于多晶硅生产中输送设备技术领域,具体涉及一种四氯化硅输送系统。
背景技术
在多晶硅生产过程中,冷氢化工段涉及的装置操作条件为高温、高压环境,系统压力通常在2.5~3.3MPa,原料四氯化硅进入冷氢化系统时,就需要用屏蔽泵将四氯化硅从0.3~0.5MPa提升至3.8MPa以上,才能达到生产要求。目前整个行业均是采用高扬程泵一次性将四氯化硅从0.3~0.5MPa提升至3.8MPa,选用泵的扬程一般在230m到260m。
目前使用的屏蔽泵因为其结构的原因,通常只能用380V或者690V的低压电,这就意味着单台的功率最大只能达到260kW,如果选择230m扬程的泵,则单台泵的流量只能做到140立方。目前,随着光伏行业的发展,多晶硅装置生产规模由原来的千吨级扩展到现在的十万吨级以上,冷氢化装置四氯化硅的进料也是呈几十倍的增加,这就造成四氯化硅输送泵的数量大幅度增加,原来只需要2台泵就可以满足生产需求,现在则需要十几台泵,泵的数量明显增多以后,导致出现三大问题:
1、泵的数量明显增多后,泵出故障的概率就会大幅度增加;
2、泵的数量增多以后,相应的设备投资也会明显增加;
3、高扬程泵的效率往往很低,造成运行费用高,从而导致多晶硅的生产成本仍处于原来工艺的水平,且呈上升趋势。
实用新型内容
本实用新型旨在解决现有技术中多晶硅生产工艺中冷氢化工段的原料四氯化硅的输送系统,涉及的设备成本较高、投资量大,且系统运行效率较低,运行成本高的问题。
为了实现上述发明目的,本实用新型的技术方案如下:
一种四氯化硅输送系统,包括一级缓冲罐和二级缓冲罐,一级缓冲罐通过管线I连接二级缓冲罐,管线I上设有输送泵I,所述一级缓冲罐连接有四氯化硅进料管线、氢气管线I和废气管I,所述二级缓冲罐上连接有氢气管线II、废气管II和四氯化硅排放管线,四氯化硅排放管线上设有输送泵II。
进一步地,所述一级缓冲罐上设有压力计I,废气管I上设有调节阀I,氢气管线I上设有调节阀II,压力计I分别与调节阀I、调节阀II控制连接。
进一步地,所述二级缓冲罐上设有压力计II,废气管II上设有调节阀III,氢气管线II上设有调节阀IV,压力计II分别与调节阀III、调节阀IV控制连接。
进一步地,所述二级缓冲罐设有液位计,管线I上设有调节阀V,液位计与调节阀V控制相连。
进一步地,所述氢气管线I为1.0MPa氢气管线。
进一步地,所述氢气管线II为2.4MPa氢气管线。
本实用新型的有益效果:
一、本实用新型中,采用本四氯化硅输送系统,可以保证输送的四氯化硅达到生产要求压力的同时,单台输送泵的扬程可降低一半,输送泵的效率可以提升20%以上,显著降低运行成本;同时单台输送泵的流量可以提升3倍,单台泵流量可以达到400m3,这样的系统设计,输送泵的数量可以减少一半,明显降低生产成本。
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