[实用新型]一种过流保护电路

说明书

本实用新型涉及一种过流保护电路，包括输入端、输出端、第一电阻、第一控制电路、第二控制电路、连接端；第一控制电路通过连接端与第二控制电路连接；输入端与第一控制电路、第二控制电路连接；第一电阻与第一控制电路、第二控制电路连接；输出端与第二控制电路连接。本实用新型当第一电阻检测到输入电流过流，第一电阻影响第一控制电路使其导通，第一控制电路通过连接端影响第二控制电路，第二控制电路不导通，关闭电路输出，达到过流保护电路关断，在过流保护电路关断后不存在持续输出电流，从而解决传统过流保护中打嗝保护存在持续输出电流导致产生功耗大，发热严重的问题。

技术领域

本实用新型涉及保护电路，尤其涉及一种过流保护电路。

背景技术

日常生活中用电设备使用广泛，然而在用电设备的使用过程中，可能会因为设备电路自身原因或者负载原因造成电流过大。针对这样电流过大情况，一般是设置过流保护、过载保护等保护电路对用电设备进行保护，现有技术中的过流保护电路通常是在输出过流时采用打嗝保护，当输出过流变小时就恢复正常电压，但是由于打嗝保护在过流保护后还会持续存在输出电流，产生的功耗较大，发热严重。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种过流保护电路，解决传统过流保护电路中在过流保护后仍存在持续输出电流而产生功耗，发热严重的问题。

本实用新型提供一种过流保护电路，包括：输入端、输出端、第一电阻、第一控制电路、第二控制电路、连接端；

所述第一控制电路通过所述连接端与所述第二控制电路连接；

所述输入端与第一控制电路、第二控制电路连接，所述输入端用于提供第一控制电路、第二控制电路的供电电源；

所述第一电阻与第一控制电路、第二控制电路连接，所述第一电阻用于检测输入端提供至第一控制电路、第二控制电路的输入电流；

所述输出端与所述第二控制电路连接，所述输出端用于连接外部负载。

进一步的，第一控制电路包括：第一二极管、第一三极管、第一MOS管、第二三极管、晶闸管、第二电阻、第三电阻、第四电阻，第一电阻连接在第一三极管的基极和发射极之间，第二电阻的一端、第二三极管的集电极分别连接输入端，第二电阻串联第一二极管接地，第二三极管的基极连接在第二电阻和第一二极管之间，第二三极管的发射极通过第三电阻与晶闸管的阳极连接，第二三极管的发射极通过第四电阻与第一MOS管的漏极连接，晶闸管的阴极连接在第一MOS管的漏极与第四电阻之间，第一MOS管的栅极与第一三极管的集电极连接，所述连接端连接在第三电阻和晶闸管的阳极之间。

进一步的，第二控制电路包括：第二MOS管、第三MOS管、第五电阻、第六电阻，第二MOS管的源极接地，第二MOS管的漏极通过第六电阻与第三MOS管的栅极连接，第五电阻与第三MOS管的栅极和源极连接，第三MOS管的漏极与输出端连接，连接端与第二MOS管的栅极连接。

进一步的，第一控制电路还包括：第七电阻、第八电阻、第九电阻，第二三极管的发射极分别与第七电阻的一端、第八电阻的一端连接，第一三极管的集电极和第七电阻的另一端连接，第一三极管的基极连接在第八电阻的另一端和第九电阻的一端之间，第九电阻的另一端与第一电阻连接。

进一步的，第二控制电路还包括：第二二极管，第二二极管与第五电阻并联在第三MOS管的栅极和源极之间。

进一步的，第一三极管为NPN型三极管，第一MOS管为N沟道结型场效应管，第二三极管为NPN型三极管。

进一步的，第二MOS管为N沟道结型场效应管，第三MOS管为P沟道结型场效应管。

实施本实用新型实施例，将具有如下有益效果：