[实用新型]一种过流保护电路有效
| 申请号： | 202221198756.8 | 申请日： | 2022-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN217769455U | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 李稳坡;陈宝生;张梦薇;张晓婕 | 申请（专利权）人： | 深圳市振华微电子有限公司 |
| 主分类号： | H02H3/08 | 分类号： | H02H3/08 |
| 代理公司： | 深圳市诺正鑫泽知识产权代理有限公司 44689 | 代理人： | 颜燕红 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区高新南四道0*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 保护 电路 | ||
1.一种过流保护电路，其特征在于，包括：输入端、输出端、第一电阻、第一控制电路、第二控制电路、连接端；
所述第一控制电路通过所述连接端与所述第二控制电路连接；
所述输入端与第一控制电路、第二控制电路连接，所述输入端用于提供第一控制电路、第二控制电路的供电电源；
所述第一电阻与第一控制电路、第二控制电路连接，所述第一电阻用于检测输入端提供至第一控制电路、第二控制电路的输入电流；
所述输出端与所述第二控制电路连接，所述输出端用于连接外部负载。
2.根据权利要求1所述的一种过流保护电路，其特征在于，所述第一控制电路包括：第一二极管、第一三极管、第一MOS管、第二三极管、晶闸管、第二电阻、第三电阻、第四电阻，所述第一电阻连接在所述第一三极管的基极和发射极之间，所述第二电阻的一端、所述第二三极管的集电极分别连接所述输入端，所述第二电阻串联所述第一二极管接地，所述第二三极管的基极连接在所述第二电阻和所述第一二极管之间，所述第二三极管的发射极通过所述第三电阻与所述晶闸管的阳极连接，所述第二三极管的发射极通过所述第四电阻与所述第一MOS管的漏极连接，所述晶闸管的阴极连接在所述第一MOS管的漏极与所述第四电阻之间，所述第一MOS管的栅极与所述第一三极管的集电极连接，所述连接端连接在所述第三电阻和所述晶闸管的阳极之间。
3.根据权利要求1所述的一种过流保护电路，其特征在于，所述第二控制电路包括：第二MOS管、第三MOS管、第五电阻、第六电阻，所述第二MOS管的源极接地，所述第二MOS管的漏极通过所述第六电阻与所述第三MOS管的栅极连接，所述第五电阻与所述第三MOS管的栅极和源极连接，所述第三MOS管的漏极与所述输出端连接，所述连接端与所述第二MOS管的栅极连接。
4.根据权利要求2所述的一种过流保护电路，其特征在于，所述第一控制电路还包括：第七电阻、第八电阻、第九电阻，所述第二三极管的发射极分别与所述第七电阻的一端、所述第八电阻的一端连接，所述第一三极管的集电极和所述第七电阻的另一端连接，所述第一三极管的基极连接在所述第八电阻的另一端和所述第九电阻的一端之间，所述第九电阻的另一端与所述第一电阻连接。
5.根据权利要求3所述的一种过流保护电路，其特征在于，所述第二控制电路还包括：第二二极管，所述第二二极管与所述第五电阻并联在所述第三MOS管的栅极和源极之间。
6.根据权利要求2所述的一种过流保护电路，其特征在于，所述第一三极管为NPN型三极管，所述第一MOS管为N沟道结型场效应管，所述第二三极管为NPN型三极管。
7.根据权利要求3所述的一种过流保护电路，其特征在于，所述第二MOS管为N沟道结型场效应管，所述第三MOS管为P沟道结型场效应管。
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