[实用新型]一种低碳单晶热场的上部保温结构

说明书

本实用新型公开了一种低碳单晶热场的上部保温结构，包括坩埚，坩埚的内部设置有导流筒，导流筒的上部设置有导流筒盖毡，导流筒的顶部外侧设置有定位环，导流筒盖毡的外侧安装有盖毡保护环，坩埚的顶部位于导流筒盖毡的外侧安装有顶部保温盖板，顶部保温盖板为环形结构，且内侧壁靠近盖毡保护环处安装有导流筒定位环。该低碳单晶热场的上部保温结构中，可以有效的降低导流筒盖毡及顶部保温盖板的老化，同时，可以有效的避免固化毡上脱落的碳粉在导流筒升降时而落入坩埚中，可大大降低单晶的碳含量，减少碳含量反切，同时也可延长导流筒盖毡及顶部保温盖板的使用寿命。

技术领域

本实用新型涉及锅炉技术领域，具体地说，涉及一种低碳单晶热场的上部保温结构。

背景技术

随着光伏直拉单晶硅技术的不断发展及近年来的N型单晶的规模不断扩大，对单晶的品质提出了更高的要求。

行业内单晶硅片的碳含量出货标准为＜1ppm。在拉晶过程中，由于碳杂质在硅中的分凝系数为＜1，因此碳含量在拉晶过程中被留在坩埚中的熔体中。RCZ下，非完结棒的尾部碳含量基本都能控制在1ppm以下，而完结棒时，由于需将坩埚内的熔体全部拉干，因此在完结棒时，其尾部碳含量通常会＞1ppm，而出货标准下，＞1ppm的晶棒会根据碳含量的值进行分类，被作为循环料继续投入使用或作为报废料退出循环。相对于拉晶端，已经被拉出的单晶由于碳含量的反切，造成了无法出货，增加了拉晶的成本及产品的利用率。同时，即使按照1ppm的碳含量管控标准进行管控，高的碳含量在电池端同样会造成低效的情况发生。因此降低单晶拉制过程中的碳含量，使碳含量控制更低的标准下，可以提高单晶的品质，降低单晶的生产成本，低碳单晶势在必行。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种低碳单晶热场的上部保温结构，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供了一种低碳单晶热场的上部保温结构，包括坩埚，所述坩埚的内部设置有导流筒，所述导流筒的上部设置有导流筒盖毡，所述导流筒的顶部外侧设置有定位环，所述导流筒盖毡的外侧安装有盖毡保护环，所述坩埚的顶部位于导流筒盖毡的外侧安装有顶部保温盖板，所述顶部保温盖板为环形结构，且内侧壁靠近盖毡保护环处安装有导流筒定位环。

作为优选，所述导流筒盖毡的顶部安装有密封盖。

作为优选，所述导流筒盖毡通过定位螺栓与导流筒的顶部定位环连接。

作为优选，所述导流筒定位环的顶部高度高于顶部保温盖板的顶部高度。

作为优选，所述盖毡保护环能够将导流筒盖毡的外侧壁完全包裹，所述导流筒定位环的高度尺寸大于盖毡保护环的高度尺寸。

作为优选，所述盖毡保护环包括上保护板、中保护板和下保护板，且三者依次连接，所述上保护板和下保护板为竖向设置，所述中保护板为水平设置。

作为优选，所述导流筒定位环包括上定位板、中定位板和下定位板，且三者依次连接，所述上定位板和下定位板为竖向设置，所述中定位板为水平设置。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果：

该低碳单晶热场的上部保温结构中，可以有效的降低导流筒盖毡及顶部保温盖板的老化，同时，可以有效的避免固化毡上脱落的碳粉在导流筒升降时而落入坩埚中，可大大降低单晶的碳含量，减少碳含量反切，同时也可延长导流筒盖毡及顶部保温盖板的使用寿命。

附图说明

图1为本实用新型的整体结构示意图；

图2为本实用新型的部分结构示意图；

图3为本实用新型中导流筒定位环和盖毡保护环的结构示意图。

图中各个标号意义为：