[实用新型]一种低碳单晶热场的上部保温结构有效

专利信息
申请号: 202221104418.3 申请日: 2022-05-10
公开(公告)号: CN217266138U 公开(公告)日: 2022-08-23
发明(设计)人: 汪沛渊;许堃;吴超慧 申请(专利权)人: 宇泽半导体(云南)有限公司
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B15/10;C30B29/06
代理公司: 昆明合众智信知识产权事务所 53113 代理人: 张玺
地址: 675000 云南省楚雄彝族*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 一种 低碳单晶热场 上部 保温 结构
【权利要求书】:

1.一种低碳单晶热场的上部保温结构,包括坩埚(6),其特征在于:所述坩埚(6)的内部设置有导流筒(2),所述导流筒(2)的上部设置有导流筒盖毡(1),所述导流筒(2)的顶部外侧设置有定位环(21),所述导流筒盖毡(1)的外侧安装有盖毡保护环(5),所述坩埚(6)的顶部位于导流筒盖毡(1)的外侧安装有顶部保温盖板(4),所述顶部保温盖板(4)为环形结构,且内侧壁靠近盖毡保护环(5)处安装有导流筒定位环(3)。

2.根据权利要求1所述的低碳单晶热场的上部保温结构,其特征在于:所述导流筒盖毡(1)的顶部安装有密封盖(12)。

3.根据权利要求1所述的低碳单晶热场的上部保温结构,其特征在于:所述导流筒盖毡(1)通过定位螺栓(11)与导流筒(2)的顶部定位环(21)连接。

4.根据权利要求1所述的低碳单晶热场的上部保温结构,其特征在于:所述导流筒定位环(3)的顶部高度高于顶部保温盖板(4)的顶部高度。

5.根据权利要求1所述的低碳单晶热场的上部保温结构,其特征在于:所述盖毡保护环(5)能够将导流筒盖毡(1)的外侧壁完全包裹,所述导流筒定位环(3)的高度尺寸大于盖毡保护环(5)的高度尺寸。

6.根据权利要求1所述的低碳单晶热场的上部保温结构,其特征在于:所述盖毡保护环(5)包括上保护板(51)、中保护板(52)和下保护板(53),且三者依次连接,所述上保护板(51)和下保护板(53)为竖向设置,所述中保护板(52)为水平设置。

7.根据权利要求1所述的低碳单晶热场的上部保温结构,其特征在于:所述导流筒定位环(3)包括上定位板(31)、中定位板(32)和下定位板(33),且三者依次连接,所述上定位板(31)和下定位板(33)为竖向设置,所述中定位板(32)为水平设置。

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