[实用新型]硅基液晶器件及波长选择开关

说明书

本申请提出一种硅基液晶器件及波长选择开关，该硅基液晶器件包括：第一基板、与第一基板相对间隔设置的第二基板、紧邻第一基板设置的第一微纳结构层、设于第一基板与第二基板之间的液晶层、设于液晶层与第一基板之间的第一取向层、设于液晶层与第二基板之间的第二取向层以及设于第二取向层和第二基板之间的像素电极层。本申请通过紧邻第一基板引入第一微纳结构层，使得各界面反射光经过微纳结构后不同位置光程差不一致从而削弱不同界面处反射光的干涉效应，减少由各层折射率导致的激光入射光与在各不同层界面的反射光之间的干涉现象，提高了硅基液晶器件的频谱响应一致性，从而保证了频谱的稳定。

技术领域

本申请涉及光通信技术领域，尤其涉及一种硅基液晶器件及波长选择开关。

背景技术

用于WSS(Wavelength Selective Switch，波长选择开关)的硅基液晶(LiquidCrystal on Silicon，简称LCoS)器件是一种在C波段和L波段工作的相位调制器件，因此需要硅基液晶器件在C波段和L波段有较较高的频谱响应一致性。传统的硅基液晶器件在激光入射后，由于入射光与反射光容易在入射界面产生干涉效应，导致硅基液晶器件的频谱响应一致性差，影响硅基液晶器件的性能。

实用新型内容

为了解决现有技术中硅基液晶器件干涉效应严重的技术问题。本申请提供了一种硅基液晶器件及波长选择开关，其主要目的在于抑制或减弱入射光与反射光之间的干涉效应，保证频谱的稳定。

为实现上述目的，本申请提供了一种硅基液晶器件，该硅基液晶器件包括：

第一基板、与第一基板相对间隔设置的第二基板、紧邻第一基板设置的第一微纳结构层、设于第一基板与第二基板之间的液晶层、设于液晶层与第一基板之间的第一取向层、设于液晶层与第二基板之间的第二取向层以及设于第二取向层和第二基板之间的像素电极层。

可选地，第一微纳结构层设置于第一基板背向第一取向层的一侧。

可选地，第一微纳结构层设置于第一基板与第一取向层之间。

可选地，第一微纳结构层包括无规分布的透明纳米颗粒，无规分布的透明纳米颗粒压印在第一基板背向所述第一取向层的一侧。

可选地，第一微纳结构层包括透明薄膜，以及分布于透明薄膜中的透明纳米颗粒。

可选地，透明纳米颗粒为球状透明纳米颗粒，且透明纳米颗粒的直径小于透明薄膜的厚度。

可选地，透明薄膜的厚度小于100nm。

可选地，透明纳米颗粒与透明薄膜所采用的材料不同。

可选地，分布于透明薄膜中的透明纳米颗粒的大小和形状不完全相同。

可选地，在像素电极朝向第二取向层的一侧设有高反射层或第二微纳结构层，或，在像素电极层朝向第二取向层的一侧设有高反射层或第二微纳结构层，

其中，高反射层为金属层，且高反射层的厚度大于50nm。

可选地，第二微纳结构层为亚波长光栅结构或折射率交替变化的增反层。

可选地，第一基板为玻璃基板，玻璃基板的材料为透明导电玻璃，透明导电玻璃的热膨胀系数为2.8～4.0ppm/℃，透明导电玻璃的透过率在波长为1550nm处超过80％。

可选地，第一取向层为上取向层，第二取向层为下取向层，上取向层和下取向层均采用聚酰亚胺或者SiO2制成，且上取向层和下取向层的厚度均不超过100nm。

此外，为实现上述目的，本申请还提供了一种波长选择开关，该波长选择开关包括如前面任一项的硅基液晶器件。