[实用新型]一种基于TDLAS的传感器电路有效
申请号: | 202220983403.2 | 申请日: | 2022-04-22 |
公开(公告)号: | CN218382393U | 公开(公告)日: | 2023-01-24 |
发明(设计)人: | 李泰林;潘宇峰;赵晋彪;艾言;龙彦宏;张晓航;洪敏志;肖扬帆;司马朝坦;鲁平 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | G01N21/39 | 分类号: | G01N21/39 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 彭军芬 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 tdlas 传感器 电路 | ||
本实用新型公开了一种基于TDLAS的传感器电路,属于气体传感领域。本实用新型传感器电路包括:微控制器单元、激光器驱动电路、温控电路和光电探测器接收电路;其中,微控制器单元MCU,包括ADC控制器和DAC控制器;ADC控制器采集光电探测器接收电路的输出信号,并采用锁相放大的方法计算气体浓度;DAC控制器输出高频正弦波与低频锯齿波的叠加信号,以及变化的电压信号;温控电路,包括运算放大器;运算放大器的反向输入端与输出端直接相连;运算放大器的同向输入端与所述DAC控制器的输出端连接;用于接收DAC控制器输出的电压信号,控制激光器的工作温度。本实用新型减少了额外的信号产生电路与锁相放大电路,结构简单、稳定性高、成本低、集成度高。
技术领域
本实用新型属于气体传感技术领域,更具体地,涉及一种基于TDLAS的传感器电路。
背景技术
可调谐二极管激光吸收光谱技术(TDLAS)是基于半导体激光器的窄线宽和波长调谐特性,通过改变激光器注入电流大小改变激光器输出波长,从而实现对气体吸收谱线的扫描。将入射光信号耦合到气体吸收池中,入射光被气体吸收而发生衰减,通过探测出射光信号来得到目标气体浓度。具有高分辨率、高灵敏度、快速响应、本质安全和可远程监测等优点。
其中,传感器电路的稳定性与集成度十分关键,它可以使激光器输出波长稳定,采集并计算衰减后携带气体浓度信息的光信号,进而得到待测气体浓度。传统基于TDLAS的传感器电路一般需要额外的信号产生电路与锁相放大电路,成本较高且体积较大,不利于便携使用。
实用新型内容
针对现有技术的以上缺陷或改进需求,本实用新型提供了一种基于TDLAS的传感器电路,其目的在于解决传统基于TDLAS的传感器电路成本较高且体积较大的技术问题。
为实现上述目的,本实用新型提供了一种基于TDLAS的传感器电路,包括:微控制器单元、激光器驱动电路、温控电路和光电探测器接收电路;
所述微控制器单元MCU,包括ADC控制器和DAC控制器;所述ADC控制器采集光电探测器接收电路的输出信号,并采用锁相放大的方法计算气体浓度;所述DAC控制器输出高频正弦波与低频锯齿波的叠加信号,以及变化的电压信号;
所述激光器驱动电路,用于放大MCU产生的高频正弦波与低频锯齿波的叠加信号,并将电压信号转换为电流信号来驱动激光器;
所述温控电路,包括运算放大器;所述运算放大器的反向输入端与输出端直接相连;所述运算放大器的同向输入端与所述DAC控制器的输出端连接;用于接收DAC控制器输出的电压信号,控制激光器的工作温度;
所述光电探测器接收电路,用于将光电探测器输出电流信号转换为电压信号。
进一步地,所述微控制器单元的内核是带FPU的ARM Cortex-M7,其闪存FLASH为1024KB,静态内存SRAM为1024KB。
进一步地,所述MCU电路采用STM32H743VIT6芯片构成。
进一步地,所述温控电路,包括TEC控制器ADN8834、电阻R23、电阻R31~R34、电阻R38~R41;
ADN8834的IN1P引脚分别连接电阻R33和R34一端,电阻R33的另一端连接到VREF,电阻R34另一端接地;IN1N引脚分别连接电阻R31和R32的一端,R31另一端连接到VREF,电阻R32另一端连接到激光器热敏电阻端口,R23为反馈电阻连接到IN1N和OUT1引脚;IN2P引脚连接到微控制器单元MCU的DAC输出端口;VLIM引脚分别连接R38和R39一端,R38另一端与VREF连接,R39另一端接地,用于设置输出电压极限;ILIM引脚分别连接R40和R41一端,R40另一端与VREF连接,R41另一端接地,用于设置输出电流极限。
进一步地,激光器驱动电路包括运算放大器U6、运算放大器U5、电阻R19~R22和电阻R24~R27;
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