[实用新型]一种基于TDLAS的传感器电路有效

专利信息
申请号: 202220983403.2 申请日: 2022-04-22
公开(公告)号: CN218382393U 公开(公告)日: 2023-01-24
发明(设计)人: 李泰林;潘宇峰;赵晋彪;艾言;龙彦宏;张晓航;洪敏志;肖扬帆;司马朝坦;鲁平 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: G01N21/39 分类号: G01N21/39
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 彭军芬
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 基于 tdlas 传感器 电路
【权利要求书】:

1.一种基于TDLAS的传感器电路,其特征在于,包括:微控制器单元、激光器驱动电路、温控电路和光电探测器接收电路;

所述微控制器单元MCU,包括ADC控制器和DAC控制器;所述ADC控制器采集光电探测器接收电路的输出信号,并采用锁相放大的方法计算气体浓度;所述DAC控制器输出高频正弦波与低频锯齿波的叠加信号,以及变化的电压信号;

所述激光器驱动电路,用于放大MCU产生的高频正弦波与低频锯齿波的叠加信号,并将电压信号转换为电流信号来驱动激光器;

所述温控电路,包括运算放大器;所述运算放大器的反向输入端与输出端直接相连;所述运算放大器的同向输入端与所述DAC控制器的输出端连接;用于接收DAC控制器输出的电压信号,控制激光器的工作温度;

所述光电探测器接收电路,用于将光电探测器输出电流信号转换为电压信号。

2.根据权利要求1所述的一种基于TDLAS的传感器电路,其特征在于,所述微控制器单元的内核是带FPU的ARM Cortex-M7,其闪存FLASH为1024KB,静态内存SRAM为1024KB。

3.根据权利要求2所述的一种基于TDLAS的传感器电路,其特征在于,所述MCU电路采用STM32H743VIT6芯片构成。

4.根据权利要求3所述的一种基于TDLAS的传感器电路,其特征在于,所述温控电路,包括TEC控制器ADN8834、电阻R23、电阻R31~R34、电阻R38~R41;

ADN8834的IN1P引脚分别连接电阻R33和R34一端,电阻R33的另一端连接到VREF,电阻R34另一端接地;IN1N引脚分别连接电阻R31和R32的一端,R31另一端连接到VREF,电阻R32另一端连接到激光器热敏电阻端口,R23为反馈电阻连接到IN1N和OUT1引脚;IN2P引脚连接到微控制器单元MCU的DAC输出端口;VLIM引脚分别连接R38和R39一端,R38另一端与VREF连接,R39另一端接地,用于设置输出电压极限;ILIM引脚分别连接R40和R41一端,R40另一端与VREF连接,R41另一端接地,用于设置输出电流极限。

5.根据权利要求3所述的一种基于TDLAS的传感器电路,其特征在于,激光器驱动电路包括运算放大器U6、运算放大器U5、电阻R19~R22和电阻R24~R27;

运算放大器U6的5脚接+5V电源,运算放大器U6的同相输入端连接电阻R25接到微控制器单元MCU的DAC输出端,运算放大器U6的反相输入端分别连接电阻R21和R19的一端,电阻R21的另一端接地,电阻R19的另一端连接到运算放大器U6的输出端,用于改变电压放大倍数;运算放大器U5的5脚接+5V电源,运算放大器U6的同相输入端分别连接电阻R22和R20的一端,电阻R22的另一端连接到运算放大器U6的输出端,电阻R20的另一端连接到电阻R24一端;运算放大器U6的反相输入端分别连接电阻R26和R27的一端,电阻R26的另一端连接到运算放大器U6的输出端,电阻R27的另一端接地。

6.根据权利要求5所述的一种基于TDLAS的传感器电路,其特征在于,光电探测器接收电路包括运算放大器U4、运算放大器U8、电容C6、电容C14、电阻R7和电阻R10;

运算放大器U4的5脚接+5V电源,运算放大器U4的同相输入端分别连接电容C14和电阻R10一端,电容C14和电阻R10的另一端接地,运算放大器U4的反向输入端与光电探测器输出端相连;电阻R7和电容C6并联,一端连接到运算放大器U4的反向输入端,另一端连接到运算放大器U4的输出端,运算放大器U4和运算放大器U8的输出端分别与微控制器单元MCU的ADC控制器端口相连,用于采集两路光电探测器输出信号。

7.根据权利要求6所述的一种基于TDLAS的传感器电路,其特征在于,运算放大器U4、运算放大器U5、运算放大器U6和运算放大器U8均采用AD8628ATRZ运算放大器。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202220983403.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top