[实用新型]应用于双面光刻工艺的正反面对准精度检验装置有效
申请号: | 202220348323.X | 申请日: | 2022-02-21 |
公开(公告)号: | CN217933715U | 公开(公告)日: | 2022-11-29 |
发明(设计)人: | 苏亮;张俊 | 申请(专利权)人: | 江苏东晨电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人: | 高爽 |
地址: | 214205 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 应用于 双面 光刻 工艺 反面 对准 精度 检验 装置 | ||
1.一种应用于双面光刻工艺的正反面对准精度检验装置,其特征在于,该装置包括:底座(1)、显微镜安装支架(2)和载片台(3),所述的显微镜安装支架(2)和载片台(3)均安装在底座(1)上,且所述载片台(3)中部镂空,用于承载待测样品晶圆;
所述的显微镜安装支架(2)的上下端分别装有上电子显微镜(4)和下电子显微镜(5),且对称分布于载片台(3)的上方和下方;在所述上电子显微镜(4)与载片台(3)之间,以及所述下电子显微镜(5)与载片台(3)之间分别设有上透明玻璃板(6)和下透明玻璃板(7),且所述上透明玻璃板(6)和下透明玻璃板(7)均通过透明板固定架(8)安装在显微镜安装支架(2)上;
所述的上透明玻璃板(6)和下透明玻璃板(7)上均设有对位标识符,且上透明玻璃板(6)和下透明玻璃板(7)上的对位标识符重合。
2.根据权利要求1所述的应用于双面光刻工艺的正反面对准精度检验装置,其特征是所述的上电子显微镜(4)和下电子显微镜(5)采用可变焦电子显微镜。
3.根据权利要求1所述的应用于双面光刻工艺的正反面对准精度检验装置,其特征是所述的载片台(3)中部镂空呈多级台阶面,从上至下,镂空尺寸依次减小。
4.根据权利要求1所述的应用于双面光刻工艺的正反面对准精度检验装置,其特征是所述的上电子显微镜(4)和下电子显微镜(5)分别配置有对应的液晶显示屏,所述液晶显示屏均安装在显微镜安装支架(2),位于上电子显微镜(4)的后方。
5.根据权利要求1所述的应用于双面光刻工艺的正反面对准精度检验装置,其特征是所述的上电子显微镜(4)和下电子显微镜(5)的放大倍数均大于100倍。
6.根据权利要求1所述的应用于双面光刻工艺的正反面对准精度检验装置,其特征是所述的上透明玻璃板(6)和下透明玻璃的材质与待测样品晶圆相同。
7.根据权利要求1所述的应用于双面光刻工艺的正反面对准精度检验装置,其特征是所述的透明板固定架(8)上设有位移微调杆,所述位移微调杆得调节精度小于10um。
8.根据权利要求1所述的应用于双面光刻工艺的正反面对准精度检验装置,其特征是所述的载片台(3)设有X轴和Y轴位移调节装置,所述X轴和Y轴位移调节装置的调节精度小于1um。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造