[实用新型]一种用于全自动丝焊机的超细间距焊劈刀有效
申请号: | 202220205264.0 | 申请日: | 2022-01-25 |
公开(公告)号: | CN217691061U | 公开(公告)日: | 2022-10-28 |
发明(设计)人: | 徐波;杨强 | 申请(专利权)人: | 无锡精蓉创材料科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人: | 郭慧 |
地址: | 214000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 全自动 丝焊机 间距 劈刀 | ||
一种用于全自动丝焊机的超细间距焊劈刀,焊接头自由端为楔形状的焊接部,焊接部的自由端端面上延长设置有一焊接凸台,焊接凸台的自由端面上具有焊接工作面,焊接平面上开设有通槽,焊接斜面和焊接平面的连接处开设有连接槽,与焊接工作面垂直相邻的为焊接部的第一侧面,第一侧面朝向焊接工作面开设有倾斜的柱形的穿丝孔,第一侧面上开设有喇叭孔,喇叭孔的小孔径端朝向穿丝孔,大孔径朝向连接槽,且穿丝孔分别与喇叭孔和连接槽连通。本劈刀适用全自动丝焊机能实现金线的自动焊接;且劈刀的焊接部上形成一焊接凸台,实现了在两个超细间距的芯片,以及深入深腔内芯片的焊盘进行金线的键合,避免金线搭连的功能。
技术领域
本实用新型涉及焊劈刀领域,尤其涉及一种用于全自动丝焊机的超细间距焊劈刀。
背景技术
IC封装的金线键合是通过热超声焊接的形式,用劈刀将金线固定在基板的焊盘上,并传导热量与超声能量,从而实现金线的紧密连接。其中楔形焊接以其焊点小、可实现细间距金线键合成为高新领域的主流键合方式。随着芯片行业的发展,芯片上金线排布间距越来越小,一般定义焊盘中心距在100μm及以下为超细间距排布,使用传统的楔形劈刀结构往往难以完成或易导致问题,有以下缺陷存在:1、在金线键合工序中,为保证金线与两个焊点的连接有一定强度,不易断裂失效,被焊接的金线需呈拱桥式排布。而传统的楔形劈刀结构从杆身到尖端工作面的过渡方式是以倒角方式去除材料,使得劈刀尖端呈锥形,在键合时占用较多焊盘上方的空间,难以达到超细间隙,使用传统劈刀进行金线键合时,焊盘的中心距W一般超过100μm,否则劈刀在工作过程中会与已键合的金线发生碰撞,影响成品率。2、呈锥形的传统楔形劈刀结构占用芯片上方空间过大,在平面的金线键合时没有问题,但在一些深腔、凹槽等基板结构中存在无法伸入至深腔、凹槽底部进行键合的问题,存有较大的局限性。3.传统的劈刀适用于人工手动穿线,适用于全自动的穿线工艺的劈刀还没有实现。
实用新型内容
为了解决上述问题,本实用新型采用以下技术方案:
一种用于全自动丝焊机的超细间距焊劈刀,包括柱状劈刀主体以及设置于柱状劈刀一端且一体成型的锥状焊接头,锥状焊接头的圆锥角为20°,焊接头自由端为楔形状的焊接部,焊接部的自由端端面上延长设置有一焊接凸台,焊接凸台的宽度小于焊接部自由端端面的宽度,
焊接凸台的自由端面上具有焊接工作面,焊接工作面包括焊接平面以及与焊接平面呈角度连接的焊接斜面,焊接平面上开设有通槽,焊接斜面和焊接平面的连接处开设有连接槽,连接槽在焊接工作面上的横截面呈椭圆状,
与焊接工作面垂直相邻的为焊接部的第一侧面,第一侧面朝向焊接工作面开设有倾斜的柱形的穿丝孔,第一侧面上开设有喇叭孔,喇叭孔的小孔径端朝向穿丝孔,大孔径朝向连接槽,且穿丝孔分别与喇叭孔和连接槽连通。
具体的,焊接凸台的宽度范围为0.05~0.07mm,焊接凸台的长度范围为 0.15~0.3mm。控制凸台的长度和宽度,这样可以通过将焊接凸台深入到深腔底部的芯片焊盘上,进行键合,且由于原先的深腔劈刀由于没有该焊接凸台,在超细间距金线排布之间,将刀头由于有倾斜角然后再键合十分容易造成刀头与上一根金线弧形之间进行搭连,所以通过焊接凸台,同于焊接凸台是垂直的,没有斜边可以干涉到上一根已键合好的弧线,后再键合就不会造成金线之间的搭连和干涉。
具体的,通槽为球缺形通槽。球缺形通槽可以使得金线键合的过程中,金线被吸引减少键合过程中的超声能量及增加键合强度。
具体的,柱状劈刀主体的外侧壁表面设有至少一个矩形侧切面,矩形侧切面延长至焊接部。通过在劈刀主体侧壁上开设侧切面,适应了自动焊接机的固定装夹需求,实现对于全自动丝焊机在芯片上进行金线焊接的功能。
具体的,穿丝孔的中心轴线与焊接工作面的夹角为30°~60°。夹角为30°~60°这样满足自动焊接的穿丝的使用。
具体的,焊接平面与焊接斜面所成的锐角的角度范围为10°~20°。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造