[实用新型]一种LTM4616芯片老炼板有效
申请号: | 202220145792.1 | 申请日: | 2022-01-19 |
公开(公告)号: | CN217655243U | 公开(公告)日: | 2022-10-25 |
发明(设计)人: | 常成;袁宇 | 申请(专利权)人: | 航天科工防御技术研究试验中心 |
主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28;H05K7/20 |
代理公司: | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人: | 朱智勇 |
地址: | 100085*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 ltm4616 芯片 老炼板 | ||
1.一种LTM4616芯片老炼板,其特征在于,包括:通用板、至少一个用于安装LTM4616芯片的试验子板以及至少一个用于固定所述LTM4616芯片的适配器,其中:
所述适配器固定于所述试验子板上;
所述适配器包括上盖以及底座,所述上盖与所述底座扣合设置;
所述底座上设有用于安装所述LTM4616芯片的芯片槽;
所述上盖外表面设有的安装槽,所述安装槽内设有上下贯穿的安装通孔,所述安装槽内靠近所述上盖外表面的一侧设有压板,所述压板覆盖所述安装槽的开口,并被配置为能通过调节件在所述安装槽内上下移动定位;
所述安装槽内靠近所述底座的一侧以及所述安装通孔内设有金属压块,所述金属压块包括安装部与插接部,所述安装部与所述插接部组合形成T型结构,所述安装部通过所述调节件固定于所述安装槽内,所述插接部位于所述安装通孔内,所述金属压块与所述压板固定连接,并被配置为与所述压板一起相对所述安装槽与所述安装通孔上下移动定位,以调节所述金属压块对位于所述芯片槽内的所述LTM4616芯片的压力;
所述上盖外表面的一侧设有散热件,所述散热件包括散热板以及卡扣,所述散热板被配置为为所述LTM4616芯片散热,所述散热件通过所述卡扣固定于所述上盖外表面。
2.根据权利要求1所述的LTM4616芯片老炼板,其特征在于,所述卡扣包括连接段与弯折段,所述弯折段位于所述压板与所述金属压块之间;
所述压板包括上下贯通的固定槽,所述连接段位于所述固定槽内。
3.根据权利要求1所述的LTM4616芯片老炼板,其特征在于,所述金属压块设有上下贯通的第一散热通孔,所述散热件设有上下贯通所述散热板与所述卡扣的第二散热通孔,所述第一散热通孔与所述第二散热通孔贯通设置。
4.根据权利要求1所述的LTM4616芯片老炼板,其特征在于,所述底座还包括与所述LTM4616芯片管脚所对应的引脚,所述适配器通过所述引脚与所述试验子板电连接并固定于所述试验子板上。
5.根据权利要求1所述的LTM4616芯片老炼板,其特征在于,还包括试验回路,所述试验回路包括试验电源、第一滤波电容、第二滤波电容、第三滤波电容以及第四滤波电容;
所述试验电源与所述LTM4616芯片的第一输入端以及第二输入端电连接;
所述第一滤波电容一端与所述LTM4616芯片的第一输入端电连接,另一端接地设置;
所述第二滤波电容一端与所述LTM4616芯片的第二输入端电连接,另一端接地设置;
所述第三滤波电容一端与所述LTM4616芯片的第一输出端电连接,另一端接地设置;
所述第四滤波电容一端与所述LTM4616芯片的第二输出端电连接,另一端接地设置。
6.根据权利要求5所述的LTM4616芯片老炼板,其特征在于,所述试验回路还包括第一负载电阻以及第二负载电阻;
所述第一负载电阻一端与所述LTM4616芯片的第一FB端电连接,另一端与所述LTM4616芯片的第一ITHM端电连接并接地设置;
所述第二负载电阻一端与所述LTM4616芯片的第二FB端电连接,另一端与所述LTM4616芯片的第二ITHM端电连接并接地设置;
所述LTM4616芯片的第一接地端以及第二接地端均接地设置。
7.根据权利要求5所述的LTM4616芯片老炼板,其特征在于,多个所述试验子板在通用板上阵列设置,每个所述试验子板设有一所述试验回路,多个所述试验回路并联设置。
8.根据权利要求1所述的LTM4616芯片老炼板,其特征在于,所述试验子板通过插针电连接于所述通用板。
9.根据权利要求1所述的LTM4616芯片老炼板,其特征在于,所述通用板包括金手指接口,所述金手指接口被配置为与外界老炼台电连接,所述金手指接口镀金厚度大于0.127um。
10.根据权利要求6所述的LTM4616芯片老炼板,其特征在于,所述第一滤波电容、所述第二滤波电容、所述第三滤波电容、所述第四滤波电容、所述第一负载电阻以及所述第二负载电阻在所述试验子板上立式安装。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于航天科工防御技术研究试验中心,未经航天科工防御技术研究试验中心许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202220145792.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。