[实用新型]一种防止等离子喷涂区域错误的遮蔽治具有效

专利信息
申请号: 202220111454.6 申请日: 2022-01-17
公开(公告)号: CN217664041U 公开(公告)日: 2022-10-28
发明(设计)人: 赵赟 申请(专利权)人: 北京富创精密半导体有限公司
主分类号: B05B12/20 分类号: B05B12/20
代理公司: 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 代理人: 孙奇
地址: 100176 北京市大兴区北京市北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 防止 等离子 喷涂 区域 错误 遮蔽
【说明书】:

实用新型是一种防止等离子喷涂区域错误的遮蔽治具,治具包括:把手、上盖板、下盖板、定位销;在上盖板和下盖板之间设有LINER;上盖板为跑道形结构,上盖板上端设有多个把手;上盖板底部设有第一密封凸起,第一密封凸起与LINER上部凹槽紧密配合连接;下盖板为圆环形结构,下盖板设有圆形第二密封凸起,第二密封凸起与LINER下部凹槽紧密配合连接;下盖板通过定位销与LINER定位连接。对LINER等离子喷涂的区域的位置和一致性要求极高,因为等离子喷涂区域将直接影响芯片的生产质量。本实用新型通过设计专用仿形治具来解决和提高这些关键零部件产品等离子喷涂区域的精准性和一致性,进而保证芯片质量。

技术领域

本实用新型属于半导体关键零部件LINER腔体内部喷涂前使用的遮蔽治具,等离子喷涂的区域将直接影响半导体设备的耐腐蚀程度,同时也能避免因工件腐蚀产生的物质粘附在芯片上,影响芯片的性能。本实用新型阐述一种防止LINER腔体等离子喷涂区域错误的遮蔽治具。

背景技术

随着半导体行业的快速发展,半导体的应用场景越来越广泛。其中芯片的制造是半导体生产的核心环节。芯片的生产是在腐蚀性气体和腐蚀性等离子环境中进行的,在该环境中,工件表面一直处于高能等离子体和化学反应体系中,因此用于芯片制备的腔体中的工件须具有较强的耐腐蚀性能,一般采用等离子喷涂氧化钇的方式。由于腔体结构复杂,根据使用要求一般要求局部等离子喷涂,其他位置不做喷涂处理,且喷涂区域要求明确,一致性及位置都有尺寸精度要求(精度公差±0.05mm),传统的遮蔽方式,一是机加刻线,但遮蔽线处于零件内部,机台上无法实现;二是手动用卡尺在零件上测量位置,但很难保证精确的位置,测量时易划伤零件,手动测绘很难保证遮蔽线的一致性,而且耗时效率低。

实用新型内容

针对上述存在的问题,为了达到内腔局部等离子喷涂区域的要求,通过专用治具的设计,结合不同的工位,设计不同工装,喷涂前将腔内非喷涂区域遮蔽,进而保证喷涂区域的准确性。本实用新型的目的是提供了一种防止等离子喷涂区域错误的遮蔽治具。

本实用新型采样的技术方案是:

一种防止等离子喷涂区域错误的遮蔽治具,治具包括:把手、上盖板、下盖板、定位销;在上盖板和下盖板之间设有LINER;上盖板为跑道形结构,上盖板上端设有多个把手;上盖板底部设有第一密封凸起,第一密封凸起与LINER上部凹槽紧密配合连接;下盖板为圆环形结构,下盖板设有圆形第二密封凸起,第二密封凸起与LINER下部凹槽紧密配合连接;下盖板通过定位销与LINER定位连接。

上盖板和下盖板及定位销选用聚丙烯材质制成。

本实用新型的有益效果为:

1.通过专用治具的设计制作,保证等离子喷涂区域的准确性。

2.专用治具的制作提高了遮蔽效率,为实现稳定量产做准备。

3.通过专用治具的设计制作,提高生产效率,减少人工成本。

附图说明

图1本实用新型的遮蔽治具装配图。

图2本实用新型的上盖板立体图。

图3本实用新型的上盖板俯视图。

图4本实用新型的上盖板剖视图

图5本实用新型的下盖板示意图。

具体实施方式

下面结合说明书附图1-5及附图标记对本实用新型进一步详细说明。一种LINER等离子喷涂遮蔽治具,主要用于提高半导体关键零部件等离子喷涂区域的准确性和一致性。由于LINER是半导体领域的关键产品,主要用于气相沉积CVD、ALD等半导体制程,腔体产品的结构较为复杂,同时由于内腔的特殊结构,普通的遮蔽方式很难达到图纸要求及实际使用要求。

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