[实用新型]制冷型红外探测器的芯片冷头结构及制冷型红外探测器有效

专利信息
申请号: 202220052712.8 申请日: 2022-01-10
公开(公告)号: CN217358760U 公开(公告)日: 2022-09-02
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 北京智创芯源科技有限公司
主分类号: G01J5/061 分类号: G01J5/061;G01J5/10;G01J5/48
代理公司: 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 代理人: 吴大建;张云芳
地址: 100176 北京市大兴区*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 制冷 红外探测器 芯片 结构
【权利要求书】:

1.一种制冷型红外探测器的芯片冷头结构,其特征在于,包括杜瓦冷头和探测器芯片结构,所述探测器芯片结构包括探测器芯片,所述探测器芯片结构通过胶粘层粘接在所述杜瓦冷头上,所述胶粘层内填充有微珠。

2.根据权利要求1所述的制冷型红外探测器的芯片冷头结构,其特征在于,所述胶粘层的厚度为0.06mm~0.08mm。

3.根据权利要求2所述的制冷型红外探测器的芯片冷头结构,其特征在于,所述微珠直径为40μm~50μm。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的制冷型红外探测器的芯片冷头结构,其特征在于,所述微珠为实心微珠。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的制冷型红外探测器的芯片冷头结构,其特征在于,所述微珠为玻璃微珠。

6.根据权利要求4所述的制冷型红外探测器的芯片冷头结构,其特征在于,所述微珠为玻璃微珠。

7.根据权利要求6所述的制冷型红外探测器的芯片冷头结构,其特征在于,所述玻璃微珠由钠碱碎玻璃融熔后制成。

8.根据权利要求1-3、6-7中任一项所述的制冷型红外探测器的芯片冷头结构,其特征在于,所述探测器芯片结构还包括引线框架,所述探测器芯片设置在所述引线框架上,所述引线框架远离所述探测器芯片的一侧通过胶粘层粘接在所述杜瓦冷头上。

9.根据权利要求8所述的制冷型红外探测器的芯片冷头结构,其特征在于,所述引线框架为陶瓷引线框架。

10.一种制冷型红外探测器,其特征在于,包括如权利要求1-9中任一项所述的制冷型红外探测器的芯片冷头结构。

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