[发明专利]一种微环谐振腔的硅基电光调制器

权利要求书

1.一种微环谐振腔的硅基电光调制器，其特征在于，其包括：

微环谐振腔(1)，所述微环谐振腔(1)包括内环(11)和外环(12)，所述内环(11)与所述外环(12)均为封闭的圆环，且所述内环(11)与所述外环(12)的圆心位于同一点，所述内环(11)与所述外环(12)上均设有掺杂区(13)；

直波导(2)，所述直波导(2)沿所述外环(12)的径向设置于所述外环(12)的一侧，且所述直波导(2)与所述外环(12)耦合，以在所述直波导(2)的两端形成输入端和直通端。

2.如权利要求1所述的微环谐振腔的硅基电光调制器，其特征在于：

所述掺杂区(13)具有N型掺杂区(131)和P型掺杂区(132)，N型掺杂区(131)和P型掺杂区(132)形成PN结。

3.如权利要求2所述的微环谐振腔的硅基电光调制器，其特征在于：

所述P型掺杂区(132)包括相连接的P型重掺区(1321)和P型轻掺区(1322)，所述N型掺杂区(131)包括相连接的N型重掺区(1311)和N型轻掺区(1312)。

4.如权利要求3所述的微环谐振腔的硅基电光调制器，其特征在于：

所述N型轻掺区(1312)和所述P型轻掺区(1322)均包括第一区(133)以及位于所述第一区(133)上方的第二区(134)，所述第二区(134)沿径向方向的宽度小于所述第一区(133)沿径向方向的宽度。

5.如权利要求4所述的微环谐振腔的硅基电光调制器，其特征在于：所述第二区(134)的厚度大于所述第一区(133)的厚度。

6.如权利要求1所述的微环谐振腔的硅基电光调制器，其特征在于：

所述内环(11)上的掺杂区(13)与所述外环(12)上的掺杂区(13)均设置于远离所述直波导(2)的一侧，所述内环(11)上的掺杂区(13)与所述外环(12)上的掺杂区(13)的起始位置和终止位置相同。

7.如权利要求1所述的微环谐振腔的硅基电光调制器，其特征在于：

所述内环(11)与所述外环(12)间隔设置，且所述内环(11)与所述外环(12)之间的间距W根据所述外环(12)的内径确定。

8.如权利要求1所述的微环谐振腔的硅基电光调制器，其特征在于：

所述内环(11)与所述外环(12)上均设有间隔设置的两个掺杂区(13)，所述内环(11)上的两个所述掺杂区(13)的大小不同，所述外环(12)上的两个所述掺杂区(13)的大小不同。