[发明专利]硅片双面抛光装置的承载件及硅片双面抛光装置

说明书

本发明实施例公开了一种硅片双面抛光装置的承载件及硅片双面抛光装置，所述承载件包括：形成有通孔的本体；衬入在所述本体的通孔中的环状的内衬，所述内衬用于容置硅片，其中，所述内衬具有多孔疏水结构，使得聚集在所述硅片的外周面与所述内衬的内周面之间的间隙中的抛光液能够经由所述多孔疏水结构中的孔隙疏散。根据本发明实施例的承载件能够使硅片的周缘处的抛光液的量减小，改善抛光程度不均匀性，提高硅片表面平坦度。

技术领域

本发明涉及半导体硅片生产领域，尤其涉及一种硅片双面抛光装置的承载件及硅片双面抛光装置。

背景技术

在半导体硅片的生产工艺中，通常需要对硅片进行双面抛光，以去除硅片成型处理过程中产生在硅片表面的损伤并将硅片表面形成为镜面状，这一处理过程通常是利用硅片双面抛光装置来完成的。

在硅片双面抛光装置中，硅片承载在承载件中。具体地，承载件可以设置在上下抛光垫之间并且可以形成有将承载件贯穿的容置部，硅片可以容置在该容置部中，以随承载件一起相对于上下抛光垫运动，由此实现使硅片的两个圆形主表面都被上下抛光垫抛光。

在上述抛光过程中，来自抛光垫的抛光液会聚集在硅片的外周面与容置部的内周壁之间的间隙中，从而使硅片的周缘处的抛光液的量增大，导致硅片的两个圆形主表面中靠近于硅片的周缘处的部分的抛光程度增大，从而导致硅片的表面平坦度恶化。

随着半导体技术的不断发展，对硅片表面平坦度要求越来越高，由于上述问题的存在，常规的硅片双面抛光装置已无法满足这样的要求。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明实施例期望提供一种硅片双面抛光装置的承载件及硅片双面抛光装置，能够降低硅片的周缘处的抛光程度，从而减小硅片的周缘处与中央处的抛光程度之间的差异，改善硅片表面平坦度。

本发明的技术方案是这样实现的：

第一方面，本发明实施例提供了一种硅片双面抛光装置的承载件，所述承载件包括：

形成有通孔的本体；

衬入在所述本体的通孔中的环状的内衬，所述内衬用于容置硅片，其中，所述内衬具有多孔疏水结构，使得聚集在所述硅片的外周面与所述内衬的内周面之间的间隙中的抛光液能够经由所述多孔疏水结构中的孔隙疏散。

第二方面，本发明实施例提供了一种硅片双面抛光装置，所述硅片双面抛光装置包括根据第一方面所述的承载件。

本发明实施例提供了一种硅片双面抛光装置的承载件及硅片双面抛光装置，由于内衬具有多孔疏水结构，因此聚集在上述的间隙中的抛光液能够通过疏水结构中的孔隙被逐渐地疏散，使得间隙处始终保持少量的抛光液，由此降低硅片的周缘处的抛光程度，改善硅片表面平坦度。

附图说明

图1为根据本发明的实施例的硅片双面抛光装置的承载件的俯视示意图；

图2为沿着图1中的线A-A剖切的局部剖视示意图；

图3为根据本发明的优选实施例的承载件的局部剖视示意图；

图4为根据本发明的实施例的硅片双面抛光装置的俯视示意图；

图5为根据本发明的实施例的硅片双面抛光装置的正视示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。

参见图1和图2并结合图4和图5，本发明实施例提供了一种硅片双面抛光装置1的承载件10，所述承载件10可以包括：

形成有通孔11H的本体11；