[发明专利]一种用于制备钽把手的包套及钽把手的制备方法在审
| 申请号: | 202211710361.6 | 申请日: | 2022-12-29 |
| 公开(公告)号: | CN116000293A | 公开(公告)日: | 2023-04-25 |
| 发明(设计)人: | 姚力军;李桂鹏;袁玉博 | 申请(专利权)人: | 同创(丽水)特种材料有限公司 |
| 主分类号: | B22F3/04 | 分类号: | B22F3/04;B22F3/03;B22F3/10 |
| 代理公司: | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人: | 徐浩 |
| 地址: | 323010 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 制备 把手 方法 | ||
本发明涉及了一种用于制备钽把手的包套及钽把手的制备方法,所述包套包括基底、设置于基底的至少1个容纳槽,以及与每个容纳槽匹配的盖板;所述盖板的直径不小于容纳槽的直径,所述容纳槽和盖板的材质均为橡胶。钽把手的制备方法包括:将钽粉装入包套内并真空密封,对包套进行冷等静压,去除包套后依次进行第一烧结和第二烧结,得到钽把手。采用本发明设计的包套制备钽把手,加工效率显著提高,且提高钽材料的成材率,降低了生产成本,可实现大批量规模化生产;解决了现有技术中钽把手制备过程中加工设备较多且原料利用率较低,不良产品较多等问题。
技术领域
本发明属于靶材制造技术领域,尤其涉及一种用于制备钽把手的包套及钽把手的制备方法。
背景技术
随着大规模集成电路的高速发展,超高纯钽溅射靶材在集成电路中的应用越来越广泛。溅射过程,主要通过物理气相沉积PVD,即用高压加速气态离子轰击,使靶材的原子被溅射出来并以薄膜的形式沉积在硅片或其他基板上,再配合光刻等工艺,最终形成半导体芯片中复杂的配线结构。
物理气相沉积是半导体芯片生产过程中最关键的工艺之一,是通过溅射机台来完成的,环件是用于上述工艺中一种非常重要的关键耗材。目前,通常采用夹具对高纯钽环进行固定,但无法对夹具中的卡盘进行微调,无法适应不同尺寸大小高纯钽环的加工条件,具有较大的局限性。同时,在对高纯钽环进行加工时,对精确度的要求是非常高的,在光刻和蚀刻的过程中需要精确到几厘米,现有的夹具无法达到助加工高纯钽环所需要的精确度。
而钽把手能够固定钽环,将钽环通过凸起的连接部与溅射机台连接,提高镀膜的均匀性。目前,钽把手的生产,一般是用钽锭做原料,通过拉拔得到细长的钽棒,再进行切割成小圆柱料,通过退火+冲压成型得到需要的成型钽把手坯料,最后进行机械加工到成品。常规钽把手的加工过程如下:拉拔→抛光→线切割→热处理→冲压→机加。加工工序较多,涉及到的加工设备较多且材料利用率较低,易产生不良产品,不利于大批量规模化生产。
因此,亟需开发一种加工时间短、生产成本低以及钽材料利用率高的钽把手的模具及制备方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种用于制备钽把手的包套及钽把手的制备方法,采用包套进行制备钽把手,加工效率显著提高,且提高钽材料的成材率,降低了生产成本,可实现大批量规模化生产。
为达到此发明目的,本发明采用以下技术方案:
第一方面,本发明提供了一种用于制备钽把手的包套,所述包套包括基底、设置于基底的至少1个容纳槽,以及与每个容纳槽匹配的盖板;
所述盖板的直径不小于容纳槽的直径,所述容纳槽和盖板的材质均为橡胶。
本发明采用橡胶包套制备钽把手,能提高钽材料的利用率,大大减少生产时间,有效降低生产成本。
作为本发明优选的技术方案,所述盖板的厚度为4-6mm,例如可以是4mm、4.2mm、4.4mm、4.6mm、4.8mm、5mm、5.2mm、5.4mm、5.6mm、5.8mm或6mm等,但不仅限于所列举的数值,数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地,所述容纳槽的结构为中空无盖圆柱体。
优选地,所述容纳槽的高度为32.5-33.5mm,例如可以是32.5mm、32.7mm、32.9mm、33mm、33.2mm、33.4mm或33.5mm等,但不仅限于所列举的数值,数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地,所述容纳槽的直径为45.5-46.5mm,例如可以是45.5mm、45.7mm、45.9mm、46mm、46.2mm、46.4mm或46.5mm等,但不仅限于所列举的数值,数值范围内其他未列举的数值同样适用。
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