[发明专利]用于清洗抛光设备的装置及抛光设备在审
申请号: | 202211691173.3 | 申请日: | 2022-12-27 |
公开(公告)号: | CN115816257A | 公开(公告)日: | 2023-03-21 |
发明(设计)人: | 袁松柏 | 申请(专利权)人: | 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
主分类号: | B24B29/00 | 分类号: | B24B29/00;B24B51/00;B24B57/02 |
代理公司: | 西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙) 61253 | 代理人: | 侯丽丽;宋东阳 |
地址: | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 清洗 抛光 设备 装置 | ||
本发明实施例公开了用于清洗抛光设备的装置及抛光设备,所述装置包括:用于向抛光液存储箱的内部喷洒清洗液的喷射器;设置在所述抛光液存储箱内的超声波搅拌器,所述超声波搅拌器设置成能够搅拌所述抛光液存储箱内的所述清洗液并且能够发出超声波以有助于所述清洗液清洗所述抛光液存储箱;设置在所述抛光液存储箱的供液口处的供给阀;其中,所述装置设置成执行两种模式的清洗操作,在第一模式,所述供给阀关闭并且所述超声波搅拌器工作,以通过所述清洗液对所述抛光液存储箱的内部进行清洗;在第二模式,所述供给阀开启,使得所述清洗液能够从所述抛光液存储箱经由所述供液口进入供给管路,以对所述供给管路进行清洗。
技术领域
本发明实施例涉及硅片加工技术领域,尤其涉及用于清洗抛光设备的装置5及抛光设备。
背景技术
硅片的抛光工艺是用于去除发生在成形工艺过程中硅片表面留下的微缺陷及表面应力损伤层从而使其表面更加平整的工艺。
在化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)过程中,抛光液0由抛光设备的抛光液供给系统持续供给至抛光位置。抛光液是在使用之前通过将抛光液原液在专用存储罐中进行稀释而获得。在实际生产中,需要定期对抛光液存储罐进行清洁,否则存储罐内会产生抛光液结晶,如果此类结晶随抛光液一同被供给至抛光设备,不仅造成硅片表面的损伤,同时还会降低冷却管的换热效率。
5目前,常规抛光设备的抛光液供液系统尚不具备自清洁功能,而是由人工进行清洁。在人工清洁过程中,需要打开抛光液存储罐的盖子并用纯水进行清洁。然而,人工清洁存在一定问题:一方面、人工使用纯水清洁具有不稳定性和不彻底性,且消耗人力;另一方面、打开抛光液存储罐的盖子会将环境中的
杂质引入抛光液存储罐内,进而引发新的污染。另外,人工清洗的对象仅局限0于对抛光液存储罐的清洗,而无法清洗管道。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例期望提供用于清洗抛光设备的装置及抛光设备;能够实现对抛光设备的自动清洗,特别是对管路的清洗,并且清洁过程在封闭环境中进行,避免引入二次污染,提高了清洗效果的同时减少了人力消耗。
本发明实施例的技术方案是这样实现的:
第一方面,本发明实施例提供了一种用于清洗抛光设备的装置,所述装置包括:
用于向抛光液存储箱的内部喷洒清洗液的喷射器;
设置在所述抛光液存储箱内的超声波搅拌器,所述超声波搅拌器设置成能够搅拌所述抛光液存储箱内的所述清洗液并且能够发出超声波以有助于所述清洗液清洗所述抛光液存储箱;
设置在所述抛光液存储箱的供液口处的供给阀;
其中,所述装置设置成执行两种模式的清洗操作,在第一模式,所述供给阀关闭并且所述超声波搅拌器工作,以通过所述清洗液对所述抛光液存储箱的内部进行清洗;在第二模式,所述供给阀开启,使得所述清洗液能够从所述抛光液存储箱经由所述供液口进入供给管路至抛光设备端,以对所述供给管路进行清洗。
第二方面,本发明实施例提供了一种抛光设备,所述抛光设备包括根据第一方面的装置。
本发明实施例提供了用于清洗抛光设备的装置及抛光设备;所述装置包括向抛光液存储箱的内部喷洒清洗液的喷射器、有助于清洗液进行清洗操作的超声波搅拌器和设置在供液口处的供给阀,通过各部件的配合,所述装置能够执行两种模式的清洗操作,以分别清洗抛光液存储箱的内部和抛光液供给管路,由此在封闭的环境中实现了对抛光设备的自动清洗,不仅减少了人力消耗,而且避免了残留在管路中的结晶物对硅片表面造成损伤。
附图说明
图1为本发明实施例提供的常规抛光设备的一部分的示意图;
图2为本发明实施例提供的用于清洗抛光设备的装置的示意图;
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