[发明专利]包括第一存储器和第二存储器的流体喷射设备在审
申请号: | 202211672899.2 | 申请日: | 2019-04-19 |
公开(公告)号: | CN116001446A | 公开(公告)日: | 2023-04-25 |
发明(设计)人: | 黄文斌 | 申请(专利权)人: | 惠普发展公司;有限责任合伙企业 |
主分类号: | B41J2/045 | 分类号: | B41J2/045;B41J2/01;B29C64/393;B29C64/165;B33Y50/02 |
代理公司: | 北京市汉坤律师事务所 11602 | 代理人: | 初媛媛;吴丽丽 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 第一 存储器 第二 流体 喷射 设备 | ||
1.一种集成电路,所述集成电路包括:
多条第一数据线;
第二数据线;
ID线;
第一选择线;
第二选择线;
第一存储器元件,所述第一存储器元件响应于所述多条第一数据线上的第一数据并且响应于所述第一选择线上的第一逻辑电平而被启用;以及
第二存储器元件,所述第二存储器元件响应于所述第二数据线上的第二数据并且响应于所述第二选择线上的第一逻辑电平和所述ID线上的第一逻辑电平而被启用。
2.如权利要求1所述的集成电路,其中,所述第一存储器元件和所述第二存储器元件与包括流体致动设备的流体喷射模具相分离。
3.如权利要求1所述的集成电路,还包括:
移位寄存器解码器,所述移位寄存器解码器用于响应于所述多条第一数据线上的第一数据而启用所述第一存储器元件。
4.如权利要求1所述的集成电路,还包括:
第一晶体管,所述第一晶体管用于响应于所述第二数据线上的第二数据而启用所述第二存储器元件。
5.如权利要求4所述的集成电路,还包括:
第二晶体管,所述第二晶体管用于响应于所述ID线上的所述第一逻辑电平而启用所述第二存储器元件,
其中,所述第一晶体管位于所述第二存储器元件的第一侧面,并且所述第二晶体管位于所述第二存储器元件的第二侧面,所述第二侧面与所述第二存储器元件的所述第一侧面相对。
6.如权利要求1所述的集成电路,其中,在所述第一存储器元件被启用的情况下,经由所述ID线对所述第一存储器元件进行访问。
7.如权利要求6所述的集成电路,还包括:
控制线,所述控制线电耦接到所述第二存储器元件;
其中,在所述第二存储器元件被启用的情况下,经由所述控制线对所述第二存储器元件进行访问。
8.如权利要求1所述的集成电路,还包括:
地址生成器,所述地址生成器用于生成地址信号,
其中,所述第二存储器元件响应于所述地址信号而被启用。
9.如权利要求1所述的集成电路,还包括:
多个晶体管,所述多个晶体管用于响应于所述多条第一数据线上的所述第一数据而启用所述第一存储器元件。
10.如权利要求1所述的集成电路,还包括:
放电路径,所述放电路径电耦接在所述第二存储器元件与公共或接地节点之间,
其中,所述放电路径响应于所述ID线上的所述第一逻辑电平而被禁用,并且响应于所述ID线上的第二逻辑电平而被启用。
11.如权利要求10所述的集成电路,还包括:
晶体管,所述晶体管耦接在所述第二选择线和所述放电路径之间,所述晶体管用于响应于所述第二选择线上的不同的逻辑电平而启用和禁用所述放电路径。
12.如权利要求1所述的集成电路,其中,所述第一存储器元件包括非易失性存储器元件,并且,所述第二存储器元件包括非易失性存储器元件。
13.一种用于对集成电路的第一存储器元件和第二存储器元件进行访问的方法,所述方法包括:
顺序地生成第一选择信号和第二选择信号;
响应于所述第一选择信号和多条第一数据线上的第一数据而启用所述第一存储器元件;以及
响应于所述第二选择信号和第二数据线上的第二数据而启用所述第二存储器元件。
14.如权利要求13所述的方法,其中,所述第一存储器元件和所述第二存储器元件与包括流体致动设备的流体喷射模具相分离。
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