[发明专利]存储装置、存储系统及存储装置的写入方法在审

专利信息
申请号: 202211656113.8 申请日: 2022-12-22
公开(公告)号: CN116126231A 公开(公告)日: 2023-05-16
发明(设计)人: 方浩俊;黄运新;杨亚飞 申请(专利权)人: 深圳大普微电子科技有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 代理人: 林丽璀
地址: 518172 广东省深圳市龙岗区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 存储 装置 存储系统 写入 方法
【说明书】:

本申请涉及一种存储装置、存储系统及存储装置的写入方法,存储装置包括前端模块、后端模块、缓存模块、存储介质与处理器;缓存模块连接前端模块、处理器与后端模块,后端模块连接处理器与存储介质;缓存模块包括缓存管理单元、第一缓存与第二缓存,第二缓存的容量大于等于第一缓存,第二缓存的读写速度小于第一缓存;前端模块传输待写入数据至第一缓存;缓存管理单元控制第一缓存与第二缓存之间进行待写入数据的相互转移;后端模块通过第一缓存将目标待写入数据写入存储介质。本申请使用读写速度快的第一缓存与前端模块、后端模块形成写通路,延时少,使用容量大的第二缓存与第一缓存进行数据相互转移以增加缓存数据,有效提升写性能。

技术领域

本申请涉及存储装置技术领域,具体涉及一种存储装置、存储系统及存储装置的写入方法。

背景技术

在存储装置如固态硬盘SSD的设计中,从主机过来的待写入数据通过固态硬盘的控制器或处理器写到固态硬盘的内存里,再将写数据从内存里写到固态硬盘的存储介质如闪存颗粒里,以达到数据存储的功能。由于现有技术一般是直接对内存进行读写访问,而内存的读写速度较慢,导致固态硬盘的各个模块直接对内存进行读写的延时高,占用固态硬盘控制器的调度,对写性能影响大。

发明内容

针对上述技术问题,本申请提供一种存储装置、存储系统及存储装置的写入方法,使用读写速度快的第一缓存与前端模块、后端模块形成写通路,延时少,使用容量大的第二缓存与第一缓存进行数据相互转移以增加缓存数据,从而有效提升写性能。

为解决上述技术问题,本申请提供一种存储装置,所述存储装置包括前端模块、后端模块、缓存模块、存储介质与处理器;所述缓存模块连接所述前端模块、处理器与所述后端模块,所述后端模块连接所述处理器与所述存储介质;所述缓存模块包括缓存管理单元、第一缓存与第二缓存,所述第二缓存的容量大于等于所述第一缓存,所述第二缓存的读写速度小于所述第一缓存;

所述前端模块,用于传输待写入数据至所述第一缓存;

所述缓存管理单元,用于根据预设策略控制所述第一缓存与所述第二缓存之间进行所述待写入数据的相互转移;

所述后端模块,用于通过所述第一缓存将目标待写入数据写入所述存储介质。

可选地,所述处理器中固化有软件,所述前端模块连接所述待写入数据的来源设备端与所述处理器;

所述前端模块将所述来源设备端的写命令发送给所述处理器;

所述处理器收到所述写命令后新建缓存管理节点,并向所述前端模块发送数据传输指令;

所述前端模块根据所述数据传输指令,将从所述来源设备端获取的所述待写入数据传输至所述第一缓存。

可选地,所述预设策略,包括以下至少一项:

将所述第二缓存中高优先级的待写入数据转移至所述第一缓存;

将所述第一缓存中低优先级的待写入数据转移至所述第二缓存;

将最新写入的待写入数据转移至所述第二缓存;

将所述目标待写入数据转移至所述第一缓存;

在所述第一缓存的存储状态达到预设最大阈值时,将所述第一缓存中一部分待写入数据转移至所述第二缓存;

在所述第一缓存的存储状态达到预设最小阈值时,将所述第二缓存中一部分待写入数据转移至所述第一缓存。

可选地,所述缓存管理单元,还用于:

响应于所述后端模块发送的写入指令,将所述第一缓存和/或所述第二缓存中对应于所述写入指令的目标待写入数据锁定在所述第一缓存中。

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