[发明专利]一种适用于通信芯片多通道双向静电浪涌防护电路

权利要求书

1.一种适用于通信芯片多通道双向静电浪涌防护电路，其特征在于，包括稳压钳位电路和电浪涌主电流泄放电路；

所述稳压钳位电路包括第一稳压钳位电路、第二稳压钳位电路、第三稳压钳位电路和第四稳压钳位电路；所述第一稳压钳位电路包括：第二二极管D₂、稳压管Z，所述第二二极管D₂阴极与所述稳压管Z阴极相连；所述第二稳压钳位电路包括：第四二极管D₄、稳压管Z，所述第四二极管D₄阴极与所述稳压管Z阴极相连；所述第三稳压钳位电路包括：第二二极管D₂、稳压管Z和第三二极管D₃，所述第二二极管D₂阴极与所述稳压管Z阴极相连，所述稳压管Z阳极与所述第三二极管D₃阳极相连；所述第四稳压钳位电路包括：第四二极管D₄、稳压管Z和第一二极管D₁，所述第四二极管D₄阴极与所述稳压管Z阴极相连，所述稳压管Z阳极与所述第一二极管D₁阳极相连，用于驱动所述电浪涌主电流泄放电路工作；

所述电浪涌主电流泄放电路包括第一主电流泄放路径、第二主电流泄放路径、第三主电流泄放路径以及第四主电流泄放路径；所述第一主电流泄放路径包括所述第一PNP三极管T_p1、所述第三NPN三极管T_n3和电阻R_psub，所述第一PNP三极管T_p1的发射极与所述电路的I/O_1端口相连，所述第一PNP三极管T_p1的基极与所述第三NPN三极管T_n3的集电极相连，所述电阻R_psub的一端与所述第一PNP三极管T_p1的集电极和所述第三NPN三极管T_n3的基极相连，所述电阻R_psub的另一端与所述第三NPN三极管T_n3的发射极和所述电路的GND端口相连，用于增强所述电路的鲁棒性；

所述第二主电流泄放路径包括所述第二PNP三极管T_p2、所述第三NPN三极管T_n3和电阻R_psub，所述第二PNP三极管T_p2的发射极与所述电路的I/O_2端口相连，所述第二PNP三极管T_p2的基极与所述第三NPN三极管T_n3的集电极相连，所述电阻R_psub的一端与所述第二PNP三极管T_p2的集电极和所述第三NPN三极管T_n3的基极相连，所述电阻R_psub的另一端与所述第三NPN三极管T_n3的发射极和所述电路的GND端口相连，用于增强所述电路的鲁棒性；

所述第三主电流泄放路径包括所述第一PNP三极管T_p1和所述第二NPN三极管T_n2，所述第一PNP三极管T_p1的发射极与所述电路的I/O_1端口相连，所述第二NPN三极管T_n2的发射极与所述电路的I/O_2端口相连，所述第一PNP三极管T_p1的基极与第二NPN三极管T_n2的集电极相连，所述第一PNP三极管T_p1的集电极与所述第二NPN三极管T_n2的基极相连，用于增强所述电路的鲁棒性；

所述第四主电流泄放路径包括所述第二PNP三极管T_p2和所述第一NPN三极管T_n1，所述第二PNP三极管T_p2的发射极与所述电路的I/O_2端口相连，所述第一NPN三极管T_n1的发射极与所述电路的I/O_1端口相连，所述第二PNP三极管T_p2的基极与第一NPN三极管T_n1的集电极相连，所述第二PNP三极管T_p2的集电极与所述第一NPN三极管T_n1的基极相连，用于增强所述电路的鲁棒性。