[发明专利]等离子体处理装置和气体供给方法

说明书

本发明提供控制等离子体处理的面内均匀性的等离子体处理装置和气体供给方法。本发明提供一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：等离子体处理室，其具有构成为能够支承基片的基片支承部；具有多个气体导入部的喷淋头，其中，上述多个气体导入部构成为能够分别向上述等离子体处理室内的各区域导入气体；气体供给部，其构成为能够向多个上述气体导入部供给气体；等离子体生成部，其构成为能够生成上述气体的等离子体；和控制部，其构成为能够至少控制上述气体供给部，上述气体供给部包括：气体单元，其构成为能够向多个上述气体导入部供给共用气体；和注入单元，其构成为能够向多个上述气体导入部中的所选择的上述气体导入部供给注入气体，上述控制部控制上述注入单元，以使得将2种以上的上述注入气体供给到2个不同的上述气体导入部。

技术领域

本发明涉及等离子体处理装置和气体供给方法。

背景技术

在专利文献1中公开了一种具有喷淋头的基片处理装置，该喷淋头具有向腔室内的中心区域导入气体的第一气体导入部、向腔室内的边缘区域导入气体的第二气体导入部和比第二气体导入部更向外侧区域导入气体的第三气体导入部。另外，公开了第一气体导入部和第二气体导入部将处理气体导入腔室内。另外，公开了第三气体导入部利用切换阀切换处理气体或附加气体而将其导入腔室内。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-117477号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

在一个方面，本发明提供控制等离子体处理的面内均匀性的等离子体处理装置和气体供给方法。

用于解决技术问题的技术方案

为了解决上述技术问题，依照一个方式，提供一种等离子体处理装置，其包括：等离子体处理室，其具有构成为能够支承基片的基片支承部；具有多个气体导入部的喷淋头，其中，上述多个气体导入部构成为能够分别向上述等离子体处理室内的各区域导入气体；气体供给部，其构成为能够向多个上述气体导入部供给气体；等离子体生成部，其构成为能够生成上述气体的等离子体；和控制部，其构成为能够至少控制上述气体供给部，上述气体供给部包括：气体单元，其构成为能够向多个上述气体导入部供给共用气体；和注入单元，其构成为能够向多个上述气体导入部中的所选择的上述气体导入部供给注入气体，上述控制部控制上述注入单元，以使得将2种以上的上述注入气体供给到2个不同的上述气体导入部。

发明效果

依照一个方面，能够提供控制等离子体处理的面内均匀性的等离子体处理装置和气体供给方法。

附图说明

图1是用于说明电容耦合型的等离子体处理装置的结构例的图的一个例子。

图2是气体供给部的结构图的一个例子。

图3是表示使用具有气体供给部的等离子体处理装置的基片处理结果的一个例子的图。

图4是表示基片处理结果的一个例子的图。

图5是标准化后的蚀刻速率的曲线图的一个例子。

图6是对蚀刻处理进行说明的时序图的示意图的一个例子。

附图标记说明

W                           基片

1                           等离子体处理装置

2                           控制部

10                          等离子体处理室